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來源: 發布時間:2025-08-03

在晶圓切割的批量一致性控制方面,中清航科采用統計過程控制(SPC)技術。設備實時采集每片晶圓的切割尺寸數據,通過 SPC 軟件進行分析,繪制控制圖,及時發現過程中的異常波動,并自動調整相關參數,使切割尺寸的標準差控制在 1μm 以內,確保批量產品的一致性。針對薄晶圓切割后的搬運難題,中清航科開發了無損搬運系統。采用特制的真空吸盤與輕柔的取放機構,配合視覺引導,實現薄晶圓的平穩搬運,避免搬運過程中的彎曲與破損。該系統可集成到切割設備中,也可作為單獨模塊與其他設備對接,提高薄晶圓的處理能力。復合材料晶圓切割選中清航科多工藝集成設備,兼容激光與刀片。衢州碳化硅晶圓切割劃片

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中清航科在切割頭集成聲波傳感器,通過頻譜分析實時識別崩邊、裂紋等缺陷(靈敏度1μm)。異常事件觸發自動停機,避免批量損失,每年減少廢片成本$2.5M。為提升CIS有效感光面積,中清航科將切割道壓縮至8μm:激光隱形切割(SD)配合智能擴膜系統,崩邊<3μm,使1/1.28英寸傳感器邊框縮減40%,暗電流降低至0.12nA/cm2。中清航科金剛石刀片再生技術:通過等離子體刻蝕去除表層磨損層,重新鍍覆納米金剛石顆粒。再生刀片壽命達新品90%,成本降低65%,已服務全球1200家客戶。


南京砷化鎵晶圓切割刀片5G射頻芯片切割中清航科特殊工藝,金線偏移量<0.8μm。

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當晶圓切割面臨復雜圖形切割需求時,中清航科的矢量切割技術展現出獨特優勢。該技術可精確識別任意復雜切割路徑,包括圓弧、曲線及異形圖案,通過分段速度調節確保每一段切割的平滑過渡,切割軌跡誤差控制在 2μm 以內。目前已成功應用于光電子芯片的精密切割,為 AR/VR 設備中心器件生產提供有力支持。半導體生產車間的設備協同運作對通信兼容性要求極高,中清航科的晶圓切割設備多方面支持 OPC UA 通信協議,可與主流 MES 系統實現實時數據交互。通過標準化數據接口,將切割進度、設備狀態、質量數據等信息實時上傳至管理平臺,助力客戶實現生產過程的數字化管控與智能決策。

中清航科注重與科研機構的合作創新,與國內多所高校共建半導體切割技術聯合實驗室。圍繞晶圓切割的前沿技術開展研究,如原子層切割、超高頻激光切割等,已申請發明專利 50 余項,其中 “一種基于飛秒激光的晶圓超精細切割方法” 獲得國家發明專利金獎,推動行業技術進步。晶圓切割設備的軟件系統是其智能化的中心,中清航科自主開發了切割控制軟件,具備友好的人機交互界面與強大的功能。支持多種格式的晶圓版圖文件導入,可自動生成切割路徑,同時提供離線編程功能,可在不影響設備運行的情況下完成新程序的編制與模擬,提高設備利用率。切割冷卻液在線凈化裝置中清航科研發,雜質濃度自動控制<1ppm。

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晶圓切割作為半導體制造流程中的關鍵環節,直接影響芯片的良率與性能。中清航科憑借多年行業積淀,研發出高精度激光切割設備,可實現小切割道寬達 20μm,滿足 5G 芯片、車規級半導體等領域的加工需求。其搭載的智能視覺定位系統,能實時校準晶圓位置偏差,將切割精度控制在 ±1μm 以內,為客戶提升 30% 以上的生產效率。在半導體產業快速迭代的當下,晶圓材料呈現多元化趨勢,從傳統硅基到碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體,切割工藝面臨更大挑戰。中清航科針對性開發多材料適配切割方案,通過可調諧激光波長與動態功率控制技術,完美解決硬脆材料切割時的崩邊問題,崩邊尺寸可控制在 5μm 以下,助力第三代半導體器件的規模化生產。中清航科推出切割廢料回收服務,晶圓利用率提升至99.1%。揚州碳化硅陶瓷晶圓切割劃片廠

12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產能瓶頸,良率99.3%。衢州碳化硅晶圓切割劃片

為幫助客戶應對半導體行業的技術人才短缺問題,中清航科推出 “設備 + 培訓” 打包服務。購買設備的客戶可獲得技術培訓名額,培訓內容涵蓋設備操作、工藝調試、故障排除等,培訓結束后頒發認證證書。同時提供在線技術支持平臺,隨時解答客戶在生產中遇到的技術問題。隨著半導體器件向微型化、集成化發展,晶圓切割的精度要求將持續提升。中清航科已啟動亞微米級切割技術的產業化項目,計劃通過引入更高精度的運動控制系統與更短波長的激光源,實現 500nm 以內的切割精度,為量子芯片、生物傳感器等前沿領域的發展提供關鍵制造設備支持。衢州碳化硅晶圓切割劃片