(1)發(fā)生漏電現(xiàn)象時(shí)，高頻調(diào)制電路將不工作或調(diào)制性能變差。(2)變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí)，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號發(fā)送到對方被對方接收后產(chǎn)生失真。出現(xiàn)上述情況之一時(shí)，就應(yīng)該更換同型號的變?nèi)荻O管。晶體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示，如：Q17表示編號為17的三極管。1、特點(diǎn)：晶體三極管(簡稱三極管)是內(nèi)部含有2個(gè)PN結(jié)，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補(bǔ)，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。電話機(jī)中常用的PNP型三極管有：A92、9015等型號；NPN型三極管有：等型號。用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著一至兩個(gè)可移金屬觸點(diǎn)。南通常見電子元器件銷售銷售

2、識別方法：二極管的識別很簡單，小功率二極管的N極（負(fù)極），在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來，有些二極管也用二極管**符號來表示P極(正極)或N極(負(fù)極)，也有采用符號標(biāo)志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負(fù)。3、測試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬用表去測二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。新吳區(qū)常見電子元器件銷售供應(yīng)商家電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。

集成電路電視機(jī)IC/音響IC/電源模塊影碟機(jī)IC/錄象機(jī)IC/電腦IC通信IC/遙控IC/照相機(jī)IC報(bào)警器IC/門鈴IC /閃燈IC電動玩具IC/溫控IC/音樂IC電子琴IC /手表IC/ 其他集成電路電子五金件觸點(diǎn)/觸片/探針鐵心/其他電子五金件顯示器件點(diǎn)陣/led數(shù)碼管/ 背光器件液晶屏/偏光片/發(fā)光二極管芯片發(fā)光二極管顯示屏/液晶顯示模塊其他顯示器件電容器**極板材料/導(dǎo)電材料電極材料/光學(xué)材料/測溫材料半導(dǎo)體材料/屏蔽材料真空電子材料/覆銅板材料壓電晶體材料/電工陶瓷材料光電子功能材料|強(qiáng)電、 弱電用接點(diǎn)材料激光工質(zhì)/電子元器件**薄膜材料電子玻璃/類金剛石膜膨脹合金與熱雙金屬片/電熱材料與電熱元件其它電子**材料

其中：1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如10uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示字母表示法：1mF=1000uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF數(shù)字表示法：一般用三位數(shù)字表示容量大小，前兩位表示有效數(shù)字，第三位數(shù)字是倍率。如：102表示10×10^2PF=1000PF 224表示22×10^4PF=0.2 2uF3、電容容量誤差表符號FGJKLM允許誤差±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%。如：一瓷片電容為104J表示容量為0.1uF、誤差為±5%。電容的特性主要是隔直流通交流。

IC插座/光纖連接器接線柱/電纜連接器印刷板連接器/電腦連接器手機(jī)連接器/端子臺/接線座其他連接器電位器電子元器件用于分壓的可變電阻器。在裸露的電阻體上，緊壓著一至兩個(gè)可移金屬觸點(diǎn)。觸點(diǎn)位置確定電阻體任一端與觸點(diǎn)間的阻值。合成碳膜電位器/直滑式電位器貼片式電位器/屬膜電位器實(shí)心電位器/單圈/多圈電位器單連、雙連電位器/ 帶開關(guān)電位器線繞電位器/ 其他電位器保險(xiǎn)元器件溫度開關(guān)/溫度保險(xiǎn)絲電流保險(xiǎn)絲/保險(xiǎn)絲座自恢復(fù)熔斷器/其他保險(xiǎn)元器件傳感器傳感器能感受規(guī)定的被測量并按照一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成可用信號的器件或裝置，通常由敏感元件和轉(zhuǎn)換元件組成。定義1：電容器，顧名思義，是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。濱湖區(qū)優(yōu)勢電子元器件銷售現(xiàn)貨

1、參數(shù)識別：電阻的單位為歐姆(Ω)，倍率單位有：千歐(KΩ)，兆歐(MΩ)等。南通常見電子元器件銷售銷售

1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。由于社會發(fā)展的需要，電子裝置變的越來越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。南通常見電子元器件銷售銷售

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