Polos系列通過無掩模技術減少化學廢料產生，同時低能耗設計（如固態激光光源）符合綠色實驗室標準。例如，其光源系統較傳統DUV光刻機能耗降低30%，助力科研機構實現碳中和目標。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM 光刻機：無掩模激光技術，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實驗室微納加工。重慶光刻機讓你隨意進行納米圖案化

單細胞分選需要復雜的流體動力學控制結構，傳統光刻難以實現多尺度結構集成。Polos 光刻機的分層曝光功能，在同一片芯片上制備出 5μm 窄縫的細胞捕獲區與 50μm 寬的廢液通道，通道高度誤差控制在 ±2% 以內。某細胞生物學實驗室利用該芯片，將單細胞分選通量提升至 1000 個 / 秒，分選純度達 98%，較傳統流式細胞儀體積縮小 90%。該技術已應用于循環tumor細胞檢測，使稀有細胞捕獲效率提升 3 倍，相關設備進入臨床驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。江蘇PSP光刻機分辨率1.5微米POLOS μ：超緊湊設計，納米級精度專攻微流控與細胞芯片。

Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術結合，可定制激光輪廓以優化能量分布，減少材料蒸發和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領域技術融合為工業級微納制造（如光學元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優化曝光參數（如能量密度與聚焦深度）實現不同材料的高質量加工。例如，使用AZ5214E時，可調節光束強度以減少側壁粗糙度，提升微結構的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現outstanding26。

針對植入式醫療設備的長期安全性問題，某生物電子實驗室利用 Polos 光刻機在聚乳酸（）基底上制備可降解電極。其無掩模技術避免了傳統掩模污染，使電極的金屬殘留量低于 0.01μg/mm2，生物相容性測試顯示細胞存活率達 99%。通過自定義螺旋狀天線圖案，開發出的可降解心率監測器，在體內降解周期可控制在 3-12 個月，信號傳輸穩定性較同類產品提升 50%，相關技術已進入臨床前生物相容性評價階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業級重復精度0.1 μm。

SPS POLOS μ以緊湊的桌面設計降低實驗室設備投入，光束引擎通過壓電驅動實現高速掃描（單次寫入400 μm區域）。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光，成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費，為中小型實驗室提供經濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。光束引擎高速掃描：SPS POLOS μ單次寫入400 μm區域，壓電驅動提升掃描速度。河南德國POLOS桌面無掩模光刻機

能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發電支持無源物聯網。重慶光刻機讓你隨意進行納米圖案化

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術在藍寶石襯底上實現了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產品水平。該技術還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統core器件的國產化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。重慶光刻機讓你隨意進行納米圖案化