Polos-BESM在電子器件原型開發中展現高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。德國工藝：精密制造基因，10 年以上使用壽命，維護成本低，設備殘值率達 60%。北京光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

德國 Polos 光刻機系列的一大突出優勢，便是能夠輕松輸入任意圖案進行曝光。在科研工作中，創新的設計理念往往需要快速驗證，而 Polos 光刻機正滿足了這一需求。科研人員無需花費大量時間和成本制作掩模，只需將設計圖案導入系統，就能迅速開始光刻作業。? 在生物醫學工程領域，研究人員利用這一特性，快速制作出具有特殊結構的生物芯片，用于疾病診斷和藥物篩選。在材料科學研究中，可根據不同材料特性，定制獨特的圖案結構，探索材料的新性能。這種靈活的圖案輸入方式，remarkable縮短了科研周期，加速科研成果的產出，讓科研人員能夠將更多精力投入到創新研究中。POLOSBEAM-XL光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模能源收集：微型壓電收集器效率 35%，低頻振動發電支持無源物聯網。

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入區域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 μm，滿足工業級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計，內置高性能筆記本實現快速數據處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

在微流體領域，Polos系列光刻機通過無掩模技術實現了復雜3D流道結構的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設計策略10。Polos設備的精度與靈活性可支持此類仿生結構的批量生產，推動醫療診斷芯片的研發。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。客戶認可：全球 500 + 客戶滿意度達 98%，復購率 75%，技術支持響應時間 < 2 小時。

某材料科學研究中心在探索新型納米復合材料的性能時，需要在材料表面構建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結構。經過測試發現，帶有特定圖案的納米復合材料，其電學、光學和力學性能發生了remarkable改變。例如，一種原本光學性能普通的納米材料，在經過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發新型光電器件和光學傳感器提供了新的材料選擇和設計思路 。亞微米級精度：0.8 μmmost小線寬，支持高精度微流體芯片與MEMS器件制造。安徽POLOSBEAM光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

Polos-μPrinter 入選《半導體技術》年度創新產品，推動無掩模光刻技術普及。北京光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

無掩模激光光刻技術為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設計。經濟高效的桌面配置使研究人員和行業從業者無需復雜的基礎設施和設備即可使用光刻技術。應用范圍擴展至微機電系統 (MEM)、生物醫學設備和微電子器件的設計和制造，例如以下領域：醫療（包括微流體）、半導體、電子、生物技術和生命科學、先進材料研究。全球無掩模光刻系統市場規模預計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯網以及半導體電路性能和能耗優化的需求不斷增長，預計未來幾十年光刻市場將持續增長。北京光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米