在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復制。某光電實驗室使用該設備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%。基于此模板生產的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應用于下一代折疊屏手機，相關技術已授權給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。雙光子聚合擴展：結合Nanoscribe技術實現3D微納打印，拓展微型機器人制造。重慶德國BEAM光刻機光源波長405微米

在organ芯片研究中，模擬人體organ微環境需要微米級精度的三維結構。德國 Polos 光刻機憑借無掩模激光光刻技術，幫助科研團隊在 PDMS 材料上構建出仿生血管網絡與組織界面。某再生醫學實驗室使用 Polos 光刻機，成功制備出肝芯片微通道，其內皮細胞黏附率較傳統方法提升 40%，且可通過軟件實時調整通道曲率，precise模擬肝臟血流動力學。該技術縮短了organ芯片的研發周期，為藥物肝毒性測試提供了更真實的體外模型，相關成果入選《自然?生物技術》年度創新技術案例。湖北PSP光刻機光源波長405微米光學超材料突破：光子晶體結構precise制造，賦能超透鏡與隱身技術研究。

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構合作，推動光子集成與半導體封裝技術發展。例如，Quantum X align系統的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產業鏈整合的優勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

微納衛星對部件重量與精度要求苛刻，傳統加工難以兼顧。Polos 光刻機在硅基材料上實現了 50nm 深度的微溝槽加工，為某航天團隊制造出輕量化星載慣性導航陀螺結構。通過自定義螺旋型振動梁圖案，陀螺的零偏穩定性提升至 0.01°/h，較商用產品性能翻倍。該技術還被用于微推進器噴嘴陣列加工，使衛星姿態調整精度達到亞毫牛級，助力我國低軌衛星星座建設取得關鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。跨學科應用：覆蓋微機械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領域。

德國 Polos 光刻機系列以其緊湊的設計，在有限的空間內發揮著巨大作用。對于研究實驗室，尤其是空間資源緊張的高校和初創科研機構來說，設備的空間占用是重要考量因素。Polos 光刻機占用空間小的特點，使其能夠輕松融入各類實驗室環境。? 盡管體積小巧，但它的性能卻毫不遜色。無掩模激光光刻技術保障了高精度的圖案制作，低成本的優勢降低了科研投入門檻。在小型實驗室中，科研人員使用 Polos 光刻機，在微流體、電子學等領域開展研究，成功取得多項成果。從微納結構制造到新型器件研發，Polos 光刻機證明了小空間也能蘊藏大能量，為科研創新提供有力支持。客戶認可：全球 500 + 客戶滿意度達 98%，復購率 75%，技術支持響應時間 < 2 小時。江蘇POLOSBEAM光刻機讓你隨意進行納米圖案化

圖案靈活性：支持 STL 模型直接導入，30 分鐘完成從設計到曝光全流程。重慶德國BEAM光刻機光源波長405微米

上海有機化學研究所通過光刻技術制備多組分納米纖維，實現了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設備可支持此類結構的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術基礎3。設備的高重復性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉化性。掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。重慶德國BEAM光刻機光源波長405微米