制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）及基區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流子。由于基區很薄,加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給。三極管有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管。臺州晶體三極管現貨

晶體三極管的特性曲線：晶體三極管的輸入特性曲線。當UCE=0時，相當于集電極與發射極短路，即發射結與集電結并聯。因此，輸入特性曲線與PN結的伏安特性類似，呈指數關系。當UCE增大時，曲線將右移。對于小功率晶體管，UCE大于1V的一條輸入特性曲線可以近似UCE大于1V的所有輸入特性曲線。晶體三極管的輸出特性曲線5所示。對于每一個確定的IB,都有一條曲線，所以輸出特性的一族曲線。截止區:發射結電壓小于開啟電壓，且集電結反向偏置。放大區:發射結正向偏置且集電結反向偏置。飽和區:發射結與集電結均處于正向偏置。臺州晶體三極管現貨三極管選擇“開關三極管”，以提高開關轉換速度。

三極管的工作原理：放大原理因三極管三個區制作工藝的設定以及內部的兩個PN結相互影響，使三極管呈現出單個PN結所沒有的電流放大的功能。外加偏置電源配置：要求發射結正偏，集電結反偏。三極管在實際的放大電路中使用時，還需要外加合適的偏置電路。原因是：由于三極管BE結的非線性，基極電流必須在輸入電壓大到一定程度后才能產生(對于硅管，常取0.7v)。當基極與發射極之間的電壓小于0.7v時，基極電流就可以認為是0。放大區的特點是，隨著IB的增加，IC也增加，IC主要受控于IB，與VCE關系不大，上圖清晰地描述了這個現象。通俗點說就是用IB來控制IC，所有三極管是電流控制型器件。還是以水杯模型來加深記憶，放大狀態的水杯中，不管水杯高度VCE是多高，IC的高度只受控于IB。

三極管極限參數 集電極大允許電流ICM當集電極電流超過一定值時，β就要下降，當β值下降到線性放大區β值的2/3時，所對應的集電極電流稱為集電極大允許電流ICM。當IC>ICM時，并不表示三極管會損壞。 集電極大允許功率損耗PCM集電極電流通過集電結時所產生的功耗， PCM= ICUCB≈ICUCE，因發射結正偏，呈低阻，所以功耗主要集中在集電結上。在計算時往往用UCE取代UCB。反向擊穿電壓U(BR)CEO反向擊穿電壓U(BR)CEO,U(BR)CEO——基極開路時集電極和發射極間的擊穿電壓。三極管按安裝方式:插件三極管、貼片三極管。

電子制作中常用的三極管有9 0× ×系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們的型號一般都標在塑殼上，而樣子都一樣，都是TO-92標準封裝。在老式的電子產品中還能見到3DG6（低頻小功率硅管）、3AX31 （低頻小功率鍺管） 等，它們的型號也都印在金屬的外殼上。一部分的3表示為三極管。 二部分表示器件的材料和結構，A： PNP型鍺材料 B： NPN型鍺材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光電管 K：開關管 X：低頻小功率管 G：高頻小功率管 D：低頻大功率管 A：高頻大功率管。另外，3DJ型為場效應管，BT打頭的表示半導體特殊元件。三極管按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管。珠海高壓三極管特點

在輸入信號為零時，直流電源通過各偏置電阻為三極管提供直流的基極電流和直流集電極電流。臺州晶體三極管現貨

三極管基本的作用是放大作用，它可以把微弱的電信號變成一定強度的信號，當然這種轉換仍然遵循能量守恒，它只是把電源的能量轉換成信號的能量罷了。三極管有一個重要參數就是電流放大系數β。當三極管的基極上加一個微小的電流時，在集電極上可以得到一個是注入電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極管的放大作用。 三極管還可以作電子開關，配合其它元件還可以構成振蕩器。 半導體三極管除了構成放大器和作開關元件使用外，還能夠做成一些可單獨使用的兩端或三端器件。臺州晶體三極管現貨

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