反向偏壓（Reverse Bias）在陽極側施加相對陰極負的電壓，就是反向偏置，所加電壓為逆向偏壓。這種情況下，因為N型區域被注入電洞，P型區域被注入電子，兩個區域內的主要載流子都變為不足，因此結合部位的空乏層變得更寬，內部的靜電場也更強，擴散電位也跟著變大。這個擴散電位與外部施加的電壓互相抵銷，讓反向的電流更難以通過。實際的元件雖然處于反向偏壓狀態，也會有微小的反向電流（飽和電流、漏電流、漂移電流）通過。當反向偏壓持續增加時，還會發生隧道擊穿或雪崩擊穿或崩潰，發生急遽的電流增加。開始產生這種擊穿現象的（反向）電壓被稱為擊穿電壓。超過擊穿電壓以后反向電流急遽增加的區域被稱為擊穿區（崩潰區）。在擊穿區內，電流在較大的范圍內變化而二極管反向壓降變化較小。穩壓二極管就利用這個區域的動作特性而制成，可以作為電壓源使用。有兩種工作狀態:截止和導通。上海普通二極管現貨

二極管種類：PN結二極管（PN Diode）施加順向偏壓，利用半導體中PN接合的整流性質，是基本的半導體二極管，常見應用于整流方面以及與電感并聯保護其他元件用。細節請參照PN接面的條目。蕭特基二極管利用金屬和半導體二者的接合面的'蕭特基效應'的整流作用。由于順向的切入電壓較低，導通回復時間也短，適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多，突波耐受度較低。也有針對此缺點做改善的品種推出。穩壓二極管（Reference Diode）（常用稱法：齊納二極管）施加逆向偏壓，超過特定電壓時發生的反向擊穿電壓隨反向電流變化很小，具有一定的電壓穩定能力。利用此性質做成的元件被用于電壓基準。借由摻雜物的種類、濃度，決定擊穿電壓（破壞電壓）。其順向偏壓與一般的二極管相同。珠海電子二極管穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓的作用。

光電二極管特性可以用一個等效電路模型表示，該模型由一個理想的二極管一個電流源和其他寄生的電阻電容構成。其中電流源表示了光電二極管產生的光電流信號，理想二極管表示了P-N結，體現了光電二極管正向偏壓狀態時的電壓條件。旁路電阻R表示了光電二極管的伏安特性曲線中的斜率，即偏壓為零時的結電阻。對理想的光電二極管來說，旁路電阻是無窮大的，但實際應用中旁路電阻阻值的變化為10- 1000M。旁路電阻影響了光電二極管的暗電流噪聲，光電二極管的性能越好，其旁路電阻越大。串聯電阻R是由接觸電阻和未耗盡的體電阻構成，大小與光電二極管的尺寸、偏壓有關；結間電容C表示了光電二極管P-N結的電荷存儲能力，與二極管面積和反向電壓有關。

二極管電路分析思路說明對電路中VD1和VD2作用分析的思路主要說明下列幾點：（1）從電路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6兩組二極管的電路結構一樣，這兩組二極管在這一電路中所起的作用是相同的，所以只要分析其中一組二極管電路工作原理即可。（2）集成電路A1的①腳通過電阻R1與三極管VT1基極相連，顯然R1是信號傳輸電阻，將①腳上輸出信號通過R1加到VT1基極，由于在集成電路A1的①腳與三極管VT1基極之間沒有隔直電容，根據這一電路結構可以判斷：集成電路A1的①腳是輸出信號引腳，而且輸出直流和交流的復合信號。確定集成電路A1的①腳是信號輸出引腳的目的是為了判斷二極管VD1在電路中的具體作用。半導體二極管中，有利用P型和N型兩種半導體接合面的PN結效應。

二極管共有兩種工作狀態:截止和導通。二極管導通與截止有一定的工作條件。二極管導通的條件有兩個：正向偏置電壓；正向偏置電壓大到一定程度，對于硅二極管而言為0.6V。只要正向電壓達到一定的值，二極管便導通，導通后二極管相當于一個導體，二極管的兩根引腳之間的電阻很小，相當于接通。二極管導通后，所在回路存在電流，這一電流流動方向從二極管正極流向負極。如果給二極管正極加的電壓低于負極電壓，這是給二極管加反向偏置電壓給二極管加上反向偏置電壓后，二極管處于截止狀態，二極管的兩根引腳之間的電阻很大，相當于開路。二極管開路時，對繼電器電路工作狀態沒有大的影響。珠海電子二極管

二極管由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。上海普通二極管現貨

開關二極管的勢壘電容一般極小，這就相當于堵住了勢壘電容這條路，達到了在高頻條件下還可以保持好的單向導電性的效果。開關二極管從截止(高阻狀態)到導通(低阻狀態)的時間叫開通時間；從導通到截止的時間叫反向恢復時間；兩個時間之和稱為開關時間。一般反向恢復時間大于開通時間，故在開關二極管的使用參數上只給出反向恢復時間。開關二極管的開關速度是相當快的，像硅開關二極管的反向恢復時間只有幾納秒，即使是鍺開關二極管，也不過幾百納秒。開關二極管具有開關速度快、體積小、壽命長、可靠性高等特點，普遍應用于電子設備的開關電路、檢波電路、高頻和脈沖整流電路及自動控制電路中。上海普通二極管現貨

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