主要廠家品牌:ST,NXP/PHILIPS,NEC,ON/MOTOROLA,RENESAS/MITSUBISHI,LITTELFUSE/TECCOR,TOSHIBA,JX ,SANREX,SANKEN ,SEMIKRON ,EUPEC,IR,JBL等。IT(AV)--通態平均電流VRRM--反向重復峰值電壓IDRM--斷態重復峰值電流ITSM--通態一個周波不重復浪涌電流VTM--通態峰值電壓IGT--門極觸發電流VGT--門極觸發電壓IH--維持電流dv/dt--斷態電壓臨界上升率di/dt--通態電流臨界上升率Rthjc--結殼熱阻ⅥSO--模塊絕緣電壓Tjm--額定結溫VDRM--斷態重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流IF(AV)--正向平均電流PGM--門極峰值功率PG----門極平均功率按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。蘇州智能可控硅模塊聯系方式
1、高壓晶閘管 2、用于未來能量轉換中的igbt和快速開關二極管 3、采用超級結技術的超高速開關器件 4、應用于高功率電源的sic元件功率電子模塊的集成度 半導體模塊之間的差異,不僅*體現在連接技術方面。另一個差別因素是附加有源和無源器件的集成度。根據集成度不同,可分為以下幾類:標準模塊,智能功率模塊(ipm),(集成)子系統。在ipm被***使用(尤其在亞洲地區)的同時,集成子系統的使用只剛剛起步。 虎丘區好的可控硅模塊報價過零觸發-一般是調功,即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發,必須是過零點才觸發,導通可控硅。
這個實驗告訴我們,要使晶閘管導通,一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制極G與陰極K之間輸入一個正向觸發電壓。晶閘管導通后,松開按鈕開關,去掉觸發電壓,仍然維持導通狀態。晶閘管特點“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。控制極的作用是通過外加正向觸發脈沖使晶閘管導通,卻不能使它關斷。那么,用什么方法才能使導通的晶閘管關斷呢?使導通的晶閘管關斷,可以斷開陽極電源(圖3中的開關S)或使陽極電流小于維持導通的最小值(稱為維持電流)。如果晶閘管陽極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動直流電壓,那么,在電壓過零時,晶閘管會自行關斷。
常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路,等等。可控硅的主要參數有:1、 額定通態平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發信號,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數值。3、 反向阻斷峰值電壓VPR 當可控硅加反向電壓,處于反向關斷狀態時,可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數值。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向導通功能。
觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右,觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V,峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅,是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的(都從N層引出),所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極,而是把與控制極相近的叫做***電極T1,另一個叫做第二電極T2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向導通結束時,硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態的位置,必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調速和換向等電路。晶閘管導通后,松開按鈕開關,去掉觸發電壓,仍然維持導通狀態。虎丘區好的可控硅模塊報價
大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。蘇州智能可控硅模塊聯系方式
PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態電流(IT)即比較大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。蘇州智能可控硅模塊聯系方式
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