可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。可控硅元件的結構不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結構。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1結構的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導體器件。結構原件可控硅類型可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優(yōu)點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。常熟質量可控硅模塊報價

1、智能功率模塊（ipms）  智能功率模塊的特點在于除了功率半導體器件外，還有驅動電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護和監(jiān)測功能，如過電流和短路保護，驅動器電源電壓控制和直流母線電壓測量等。  然而，大部分智能功率模塊沒有對功率側的信號輸入進行電氣隔離。只有極少數的ipm包含了一個集成光耦。另一種隔離方案是采用變壓器 進行隔離。  相城區(qū)加工可控硅模塊推薦廠家可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點。

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統(tǒng)、調功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

·電流的確定： 由于雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。 同時， 可控硅承受斷態(tài)重復峰值電壓VD R M 和反向重復峰值電壓 V R R M 時的峰值電流應小于器件規(guī)定的IDRM 和 IRRM。 [1]·通態(tài)(峰值)電壓 VT M 的選擇： 它是可控硅通以規(guī)定倍數額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應盡可能選擇VT M 小的可控硅。 [1]·維持電流： IH 是維持可控硅保持通態(tài)所必需的**小主電流，它與結溫有關，結溫越高， 則 IH 越小。 [1]使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時間，就可以調節(jié)負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。相城區(qū)本地可控硅模塊私人定做

維持電流IH 在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。常熟質量可控硅模塊報價

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續(xù)峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續(xù)峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導通。如果負載能允許很大的浪涌電流，那么硅片上局部的電流密度就很高，使這一小部分先導通。導致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈，容性負載或短路保護電路會產生較高的浪涌電流，這時可外加濾波器和鉗位電路來防止尖峰（毛刺）電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。常熟質量可控硅模塊報價

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