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廣東APD光電探測器現貨

來源: 發布時間:2023-04-21

光電探測器的工作原理是基于光電效應,熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高,從而改變了它的電學性能,它區別于光子探測器的比較大特點是對光輻射的波長無選擇性。光電子發射器件:光電管與光電倍增管是典型的光電子發射型(外光電效應)探測器件。其主要特點是靈敏度高,穩定性好,響應速度快和噪聲小,是一種電流放大器件。尤其是光電倍增管具有很高的電流增益,特別適于探測微弱光信號;但它結構復雜,工作電壓高,體積較大。光電倍增管一般用于測弱輻射而且響應速度要求較高的場合,如人造衛星的激光測距儀、光雷達等。減小探測器的暗電流能提高光接收機的靈敏度。廣東APD光電探測器現貨

光電探測器是光接收器的主要器件之一,用來將光功率轉換為電流。根據系統的性能目標,可以選用PIN或APD(雪崩光電二極管)光電探測器。誤碼率(BER)是用于指定通信傳輸系統可靠性的主要指標,通常與接收機靈敏度值相關,該值定義了必須到達光電探測器的較小平均光功率,以實現所需的BER性能。另外,信道的Q值可以從采樣的信號統計中計算出來,并用于估計系統的誤碼率。光電探測器在定義基本通信系統的較終靈敏度方面起著重要的作用,因為它以散彈噪聲和熱噪聲的形式提供統計擾動,并引入了暗電流及定義響應率來衡量每單位輸入功率獲得多少電輸出。這些特性取決于入射光的波長和傳感器的材料特性和物理設計。飛博光電50GHZ PIN光電探測器哪里好光生載流子在雪崩區即高電場區發生雪崩倍增。

在光通信領域,更大的帶寬、更長的傳輸距離、更高的接收靈敏度,永遠都是科研者的追求目標。盡管波分復用(WDM)技術和摻鉺光纖放大器(EDFA)的應用已經極大的提高了光通信系統的帶寬和傳輸距離,但是近十年來伴隨著視頻會議等通信技術的應用和互聯網的普及產生的信息快速式增長,對作為整個通信系統基礎的物理層提出了更高的傳輸性能要求。目前光通信系統采用強度調制/直接檢測(IM/DD)即發送端調制光載波強度,接收機對光載波進行包絡檢測。盡管這種結構具有簡單、容易集成等優點,但是由于只能采用ASK調制格式,其單路信道帶寬很有限。因此這種傳統光通信技術勢必會被更先進的技術所代替。然而在通信泡沫破滅的現在,新的光通信技術的應用不可避免的會帶來對新型通信設備的需求,面對居高不下的光器件價格,大規模通信設備更換所需要的高額成本,是運營商所不能接受的,因此對設備制造商而言,光纖通信新技術的研發也面臨著很大的風險。如何在現有的設備基礎上提高光通信系統的性能成為了切實的問題。

兩束滿足相干條件的信號稱為相干信號,相干條件(CoherentCondition):這兩束信號在相遇區域:①振動方向相同;②振動頻率相同;③相位相同或相位差保持恒定那么在兩束信號相遇的區域內就會產生干涉現象。能發出相互干涉的信號的兩個信號源就叫相干信號源。在相干信號源情況下正確估計信號方向(即解相干或去相關)的關鍵問題是如何通過一系列處理或變換使得信號協方差矩陣的秩得到有效恢復,從而正確估計信號源的方向。目前關于解相干的處理基本有兩大類:一類是降維處理;另一類是非降維處理。光電二極管的工作原理同光電池一樣,都是基于PN結的光伏效應工作的。

相干光通信的理論和實驗始于80年代。由于相干光通信系統被公認為具有靈敏度高的優勢,各國在相干光傳輸技術上做了大量研究工作。經過十年的研究,相干光通信進入實用階段。英美日等國相繼進行了一系列相干光通信實驗。AT&T及Bell公司于1989和1990年在賓州的羅靈—克里克地面站與森伯里樞紐站間先后進行了1.3μm和1.55μm波長的1.7Gbit/sFSK現場無中繼相干傳輸實驗,相距35公里,接收靈敏度達到-41.5dBm。NTT公司于1990年在瀨戶內陸海的大分—尹予和吳站之間進行了2.5Gbit/sCPFSK相干傳輸實驗,總長431公里。直到19世紀80年代末,EDFA和WDM技術的發展,使得相干光通信技術的發展緩慢下來。在這段時期,靈敏度和每個通道的信息容量已經不再備受關注。然而,直接檢測的WDM系統經過二十年的發展和廣泛應用后,新的征兆開始出現,標志著相干光傳輸技術的應用將再次受到重視。在數字通信方面,擴大C波段放大器的容量,克服光纖色散效應的惡化,以及增加自由空間傳輸的容量和范圍已成為重要的考慮因素。在模擬通信方面,靈敏度和動態范圍成為系統的關鍵參數,而他們都能通過相關光通信技術得到很大改善。光電探測器的原理是由輻射引起被照射材料電導率發生改變。石巖2GHZ APD光電探測器服務電話

熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高,從而改變了它的電學性能。廣東APD光電探測器現貨

光電探測器在光通信系統中實現將光轉變成電的作用,這主要是基于半導體材料的光生伏特的效應,所謂的光生伏特X應是指光照使不均勻半導體或半導體與金屬結合的不同部位之間產生電位差的現象。(光電導效應是指在光線作用下,電子吸收光子能量從鍵合狀態過度到自由狀態,而引起材料電導率的變化的象。即當光照射到光電導體上時,若這個光電導體為本征半導體材料,且光輻射能量又足夠強,光電材料價帶上的電子將被激發到導帶上去,使光導體的電導率變大是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象,光子作用于光電導材料,形成本征吸收或雜質吸收,產生附加的光生載流子,從而使半導體的電導率發生變化,產生光電導效應。)廣東APD光電探測器現貨

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