由于水汽滲入會產(chǎn)生電化學反應，從而使腐蝕速度非常大加快。此外，在濕熱環(huán)境中，管殼的電鍍層可能會剝落，外引線可能生銹或銹斷。因此，高溫高濕度的環(huán)境條件是考核器件穩(wěn)定性和可靠性的重要試驗之一。2.交變濕熱試驗交變濕熱試驗方法是指溫度濕度條件，在24小時內周期性地在高溫高濕和低溫高濕之間變化的一種濕熱試驗。當試驗樣處于交變的高濕、高溫條件下時，水汽借助于溫度以擴散、熱運動、呼吸作用和毛細現(xiàn)象等被吸入器件內部。水汽的吸入量一方面和溫度、濕度、時間有關(溫度越高，水分子的活動能越大，水分子越容易進入器件內部。濕度越大，水分子含量就越多，水分子滲入器件內部的可能性也增大)。另一方面與溫度變化率、溫差有關(溫度變化率則決定了單位時間內“呼吸”的次數(shù);溫差的大小決定了“呼吸”程度的大小)。高溫和高濕度的同時交變作用，會加速金屬配件的腐蝕和絕緣材料的老化。交變濕熱試驗與恒定濕熱試驗不同，它采用溫度循環(huán)來提高試驗效果，其目的在于提供一個凝露和干燥的交替過程，使進入密封外殼內的水汽產(chǎn)生“呼吸”作用，從而使腐蝕過程加速。在高溫下，潮氣的影響將更加明顯。試驗包括一個低溫子循環(huán)。常州沛電電子科技有限公司電子元器件質量好！常州電子元器件批量定制
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mos管mos管是金屬（metal）—氧化物（oxid）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的特性是開關特性好，所以被應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。集成電路集成電路（integratedcircuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路具有體積小、重量輕、引出線和焊接點少、壽命長、可靠性、性能好等優(yōu)點，同時成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到的應用，同時在、通訊、遙控等方面也得到大范圍的應用。
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盡量選擇有名品牌的電容，如電容巨頭——國巨電容。（2）摸：開機后有些漏電嚴重的電解電容會發(fā)熱，用手指觸摸時甚至會燙手，這種電容更換；（3）電解電容內部有電解液，長時間烘烤會使電解液變干，導致電容量減小，要重點檢查散熱片及大功率元器件附近的電容，離其越近，損壞的性就越大。3.半導體器件損壞特點二、三極管的損壞是PN結擊穿或開路，其中以擊穿短路居多。此外還有兩種損壞表現(xiàn)：一是熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為開機時正常，工作一段時間后，發(fā)生軟擊穿；另一種是PN結的特性變差，用萬用表R×1k測，各PN結均正常，但上機后不能正常工作，用R×10或R×1低量程檔測，就會發(fā)現(xiàn)其PN結正向阻值比正常值大。測量二、三極管可以用指針萬用表在路測量，較準確的方法是：將萬用表置R×10或R×1檔（用R×10檔，不明顯時再用R×1檔）在路測二、三極管的PN結正、反向電阻，正向電阻不太大（正常值），反向電阻足夠大（正向值），表明該PN結正常，反之就值得懷疑，需焊下后再測。這是電路的二、三極管電阻大多在幾百、幾千歐，用萬用表低阻值檔在路測量，可以基本忽略電阻對PN結電阻的影響。4.集成電路損壞的特點集成電路內部結構，功能，一部分損壞都無法正常工作。常州電子元器件批量定制
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