晶體管發明后不久，就出現了一些鍺集成電路。但是半導體集成電路的真正發展則是在發明了平面晶體管以后。個有重要意義的突破是在硅片上熱生長具有優良電絕緣性能，又能掩蔽雜質擴散的二氧化硅層。50年代中期以后，又將在印刷照相業中早已廣泛應用的光刻技術和制鏡及透鏡制造業中應用的薄膜蒸發技術引入到半導體工業中來，它們和擴散、外延等技術相結合，奠定了一整套集成電路制造工藝技術。到50年代后期，集成電路主要技術都已相繼發展和基本形成了。1958年制成了只單片集成電路。與以往電子裝配相比較，在縮小體積、降低成本、提高可靠性、降低功耗、提高速度等方面，集成電路都有著巨大的優越性和潛力。我們產品的較廣地用于電源供應器、開關電源、充電器、變壓器、計算機、電話機、家用電器、通訊產品、燈飾產品、各類儀器及各類電子電器連接線、電機產品電子等。電容的容量大小表示能貯存電能的大小。SN74LV123ADR

集成電路按電路功能分，可以有以門電路為基礎的數學邏輯電路和以放大器為基礎的線性電路。后者由于半導體襯底和工作元件之間存在著有害的相互作用，發展較前者慢。同時應用于微波的微波集成電路和從Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體激光器和光纖維導管為基礎的光集成電路也正在發展之中。半導體集成電路除以硅為基礎的材料外，砷化鎵也是重要的材料，以它為基礎材料制成的集成電路，其工作速度可比硅集成電路高一個數量級，有著廣闊的發展前景。從整個集成電路范疇講，除半導體集成電路外，還有厚膜電路與薄膜電路。歡迎來電咨詢。TPS2556DRBT博盛微科技解說電子元器件之電阻識別方法-直標法。

電容的特性主要是隔直流通交流，電容的容量大小表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關。晶體二極管：晶體二極管在電路中常用“D”加數字表示，如：D5表示編號為5的二極管。作用：二極管的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。因為二極管具有上述特性，無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控制、調頻調制和靜噪等電路中。

集成電路是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發明者為杰克·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊斯（基于硅（Si）的集成電路）。現在半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。電位器觸點位置確定電阻體任一端與觸點間的阻值。

電話機里使用的晶體二極管按作用可分為：整流二極管(如1N4004)、隔離二極管(如1N4148)、肖特基二極管(如BAT85)、發光二極管、穩壓二極管等。識別方法：二極管的識別很簡單，小功率二極管的N極（負極），在二極管外表大多采用一種色圈標出來，有些二極管也用二極管專屬符號來表示P極(正極)或N極(負極)，也有采用符號標志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發光二極管的正負極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負。測試注意事項：用數字式萬用表去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，此時測得的阻值才是二極管的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。集成電路是一種微型電子器件或部件。ADS7924IRTER

電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。SN74LV123ADR

集成度在105元件以上的一般稱為超大規模集成電路(VLSI)，主要在80年代發展。采用更先進的制造工藝技術，發展了一系列如電子束、軟X射線曝光、離子刻蝕等精細加工技術，計算機工藝模擬和計算機輔助生產（CAP），以及計算機輔助測試(CAT)等技術。它的設計更多采用計算機輔助設計(CAD)。集成電路和微處理機的出現不僅深刻地改變了電子技術的面貌和原有的設計理論基礎，而且成為現代科學技術的重要基礎之一。集成電路向功能越來越大的方向發展，使整機、線路與元件、器件之間的明確界限被突破，器件問題和線路基至整機系統問題已經結合在一起，體現在一小塊硅片上，這就形成了固體物理、器件工藝與電子學三者結合的一個新領域──微電子學。我們恭候您的咨詢、合作，一起共鑄輝煌。SN74LV123ADR

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