用顯微鏡觀察也難以看出的程度)3：有少量殘渣4：基本能剝離，但一部分殘渣多5：一半以上能剝離，但一部分殘渣多6：基本不能剝離，但一部分剝離7：不能剝離【表2】由該結(jié)果可知，在含有溶纖劑的抗蝕劑的剝離液中使用氫氧化鉀代替氫氧化鈉的本發(fā)明組成，與使用氫氧化鈉的比較組成相比，即使l/s狹窄，也能除去抗蝕劑。(3)剝離性能的評價方法將液溫設(shè)為50℃的各剝離液使用噴涂裝置向上述試驗片實施剝離處理，將試驗片的粘性部分的dfr以目視全部面積的90％以上被剝離的時刻作為剝離時間。另外，剝離片尺寸(長邊)是采集噴涂停止后附著于設(shè)置于試驗基板固定用的臺上的排渣用網(wǎng)眼的剝離片以目視實施的。此時的噴涂裝置的條件設(shè)為全錐噴嘴且流量5l/min、壓力。將其結(jié)果示于表3。(4)金屬的浸蝕性的評價方法利用上述評價方法實施將噴涂運行時間固定在10分鐘的處理。其后，將基板的鍍銅部位通過電子顯微鏡(日立高新技術(shù)制：s-3400n)按照以下的評價基準評價表面形狀。其結(jié)果也示于表3。<金屬浸蝕性的評價基準>(分數(shù))(內(nèi)容)1：沒有變化2：極略微有變化(用顯微鏡觀察也難以看出的程度)3：略有變化4：發(fā)生***變色【表3】剝離時間(sec)剝離片尺寸。蘇州口碑好的剝離液公司。浙江什么剝離液配方技術(shù)

實施例1～6：按照表1配方將二甲基亞砜、一乙醇胺、四甲基氫氧化銨、硫脲類緩蝕劑、聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑、n-甲基吡咯烷酮和去離子水混合，得到用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。表1：注：含量中不滿100wt％的部分由去離子水補足余量。以cna披露的光刻膠剝離液作為對照例，與實施例1～6所得用于疊層晶圓的光刻膠剝離液進行比較試驗，對面積均為300cm2的疊層晶圓上的光刻膠進行剝離并分別測定剝離周期、金屬鍍層的腐蝕率和過片量(剝離的面壁數(shù)量)。對比情況見表2：表2：剝離周期/s金屬腐蝕率/ppm過片量/片實施例1130～15015376實施例2130～15016583實施例3130～15017279實施例4130～15015675實施例5130～15016372實施例6130～15017681對照例180～20022664由表2可知，本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液通過加入硫脲類緩蝕劑和聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，使剝離效率有明顯的提升，對金屬腐蝕率降低20％以上，而且讓過片量提高10％以上。以上所述的*是本發(fā)明的一些實施方式。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。上海天馬用的蝕刻液剝離液私人定做上海和輝光電用的哪家的剝離液？

單片清洗工藝避免了不同硅片之間相互污染，降低了產(chǎn)品缺陷，提高了產(chǎn)品良率。可選擇的，清洗液采用氧化硫磺混合物溶液和過氧化氨混合物溶液。可選的，進一步改進，清洗液采用h2so4:h2o2配比范圍為6:1～4:1且溫度范圍為110℃～140℃的過氧化硫磺混合物溶液；以及，nh4oh:h2o2:h2o配比為1:℃～70℃的過氧化氨混合物溶液。本發(fā)明采用等離子體氮氫混合氣體能與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體，且與主要光刻膠層和第二光刻膠層反應(yīng)速率相等能更高效的剝離去除光刻膠，能有效減少光刻膠殘留。進而避免由于光刻膠殘留造成對后續(xù)工藝的影響，提高產(chǎn)品良率。附圖說明本發(fā)明附圖旨在示出根據(jù)本發(fā)明的特定示例性實施例中所使用的方法、結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性，對說明書中的描述進行補充。然而，本發(fā)明附圖是未按比例繪制的示意圖，因而可能未能夠準確反映任何所給出的實施例的精確結(jié)構(gòu)或性能特點，本發(fā)明附圖不應(yīng)當被解釋為限定或限制由根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例所涵蓋的數(shù)值或?qū)傩缘姆秶Ｏ旅娼Y(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明：圖1是本發(fā)明的流程示意圖。圖2是一現(xiàn)有技術(shù)光刻膠剝離去除示意圖一，其顯示襯底上形成介質(zhì)層并旋圖光刻膠。

本申請涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種剝離液機臺及其工作方法。背景技術(shù)：剝離(lift-off)工藝通常用于薄膜晶體管(thinfilmtransistor)制程中的光罩縮減，lift-off先形成光阻并圖案化，再在光阻上成膜，移除光阻的同時，沉積在光阻上的膜層也被剝離，從而完成膜層的圖形化，通過該制程可以實現(xiàn)兩次光刻合并為一次以達到光罩縮減的目的。現(xiàn)有技術(shù)中，由于光阻上沉積了薄膜(該薄膜材料可以為金屬，ito(氧化銦錫)等用于制備tft的膜層)，在剝離光阻的同時薄膜碎屑被帶入剝離液(stripper)中，大量的薄膜碎屑將會導(dǎo)致剝離液機臺中的過濾器(filter)堵塞，從而導(dǎo)致機臺無法使用，并且需要停止所有剝離液機臺的工作，待將filter清理后再次啟動，降低了生產(chǎn)效率。技術(shù)實現(xiàn)要素：本申請實施例提供一種剝離液機臺及其工作方法，可以提高生產(chǎn)效率。本申請實施例提供一種剝離液機臺，包括：依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應(yīng)連接一存儲箱；過濾器，所述過濾器的一端設(shè)置通過***管道與當前級腔室對應(yīng)的存儲箱連接，所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接；其中，至少在所述***管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開關(guān)。在一些實施例中。哪家的剝離液配方比較好？

含有的胺化合物的質(zhì)量分為：1％-2％。進一步技術(shù)方案中，所述的添加劑中含有醇醚化合物的質(zhì)量分為：30％-50％；含有胺化合物的質(zhì)量分為：35％-55％；含有緩蝕劑的質(zhì)量分為：6％-12％；含有潤濕劑的質(zhì)量分為：1％-7％。進一步技術(shù)方案中，所述的步驟s1中剝離液廢液所含的酰胺化合物以及步驟s2中添加劑所含的酰胺化合物均為n-甲基甲酰胺(nmf)、n-甲基乙酰胺、n，n-二甲基甲酰胺中的一種或者多種。進一步技術(shù)方案中，所述的步驟s1中剝離液廢液所含的醇醚化合物以及步驟s2中添加劑所含的醇醚化合物均為二乙二醇丁醚(bdg)、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的一種或多種。進一步技術(shù)方案中，所述的步驟s1中剝離液廢液所含的胺化合物以及步驟s2中添加劑所含的胺化合物為環(huán)胺與鏈胺。進一步技術(shù)方案中，所述的環(huán)胺為氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的一種或多種；所述的鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的一種或多種。進一步技術(shù)方案中，所述的三唑類化合物，具體為苯并三氮唑(bta)、甲基苯并三氮唑(tta)中的任意一種。進一步技術(shù)方案中，所述的潤濕劑為含羥基化合物，具體為為聚乙二醇、甘油中的任意一種。剝離液中加入特有添加劑可有效保護對應(yīng)金屬；浙江銀蝕刻液剝離液生產(chǎn)

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