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銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學品產品，廣泛應用于平板顯示、LED制造及半導體制造領域。隨著新技術的不斷進步，對該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎上我司自主進行了無氟，無硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產品特點：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩定72H，常溫可穩定120H；無暴沸現象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結構不同膜厚度的機種。高效蝕刻液，讓您的生產更順...

如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔的孔徑小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔為千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列方式。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔為直通孔或斜錐孔等其中的一種態樣或兩者的混合。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二擋板具有一下表面，當宣泄孔為斜錐孔態樣時，***壁面與下表面的***夾角不同于第二壁面與下表面的第二夾角。如上所述的擋液板結構，其中當宣泄孔為斜錐孔態樣時，宣泄孔的上孔徑與下孔徑不相等。如上所述的擋液板結構，其中當宣泄孔為斜錐孔態樣時，宣泄孔的上孔徑小于下孔徑。如上所述的擋液板結構，其中當宣泄孔...

使硝酸鉀儲罐21和其它儲罐的內部形成一個密閉的空間，避免環境外部的雜質進入儲罐內，有效的提高了裝置使用的密封性；緊接著，將磷酸與醋酸在個攪拌倉23中充分攪拌混合均勻，然后在第二個攪拌倉23中與硝酸充分攪拌混合均勻后，再進入配料罐中混合，將陰離子表面活性劑和聚氧乙烯型非離子表面活性劑在第三個攪拌倉23混合后再進入第四個攪拌倉23中，與氯化鉀、硝酸鉀、去離子水一起在第四個攪拌倉23中混合均勻，然后過濾后封裝，先檢查過濾板26進行更換或安裝，過濾部件9的內部兩側嵌入連接有過濾板26，常規的生產方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蝕刻液雜質含量多，過濾板26能將蝕刻液內部的...

本實用涉及蝕刻設備技術領域，具體為一種ito蝕刻液制備裝置。背景技術：蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術，蝕刻技術分為濕蝕刻和干蝕刻，其中，濕蝕刻是采用化學試劑，經由化學反應達到蝕刻的目的，薄膜場效應晶體管液晶顯示器(tft～lcd)、發光二極管(led)、有機發光二極管(oled)等行業用作面板過程中銦錫氧化物半導體透明導電膜(ito)的蝕刻通常采用鹽酸和硝酸的混合水溶液。現有的制備裝置在進行制備時會發***熱反應，使得裝置外殼穩定較高，工作人員直接接觸有燙傷風險，熱水與鹽酸接觸會產生較為劇烈的反應，濺出容易傷害工作人員，保護性不足，鹽酸硝酸具有較強的腐蝕性，常規的攪拌裝置容...

如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔的孔徑小于3毫米(millimeter，mm)。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔為千鳥排列或矩陣排列等其中的一種排列方式。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔為直通孔或斜錐孔等其中的一種態樣或兩者的混合。如上所述的擋液板結構，其中宣泄孔具有一***壁面，以及一第二壁面，且第二擋板具有一下表面，當宣泄孔為斜錐孔態樣時，***壁面與下表面的***夾角不同于第二壁面與下表面的第二夾角。如上所述的擋液板結構，其中當宣泄孔為斜錐孔態樣時，宣泄孔的上孔徑與下孔徑不相等。如上所述的擋液板結構，其中當宣泄孔為斜錐孔態樣時，宣泄孔的上孔徑小于下孔徑。如上所述的擋液板結構，其中當宣泄孔...

所述裝置主體的內部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥，所述連接構件的內側固定連接有過濾部件，所述裝置主體的內部底端另一側固定連接有收集倉，所述收集倉的另一側底部固定連接有密封閥門，所述過濾部件的頂端兩側活動連接有滑動蓋，所述過濾部件的內部中間兩側固定連接有收縮彈簧管，所述連接構件的內側兩端嵌入連接有螺紋管，所述連接構件的內部中間兩側活動連接有活動軸，所述連接構件的內側中間兩側嵌入連接有密封軟膠層。推薦的，所述硝酸鉀儲罐的頂部嵌入連接有密封環。推薦的，所述連接構件的兩側嵌入連接有海綿層。推薦的，所述支撐腿的底端嵌入連接有防滑紋。推薦的，所述過濾部件的內部兩側嵌入連接有過濾板。推薦的，所述過濾...

ITO顯影劑也稱為造影劑或對比劑，是一種X光無法穿透的藥劑，用于讓體內組織在X光檢查時能看得更清楚。例如消化道攝影時，醫師會讓患者喝下一杯顯影劑溶液（大多含鋇），然后用各種角度照相，就能讓胃腸道看得很清楚。如果顯影只是在光強較大的地方產生游離銀，而對底片不做進一步處理，則把它一拿出暗室，未顯影的鹵化銀就會立刻曝光。此后，幾乎任何還原劑都將使底片完全形成灰霧。為了克服這個問題，必須找到一種適當的物質以除去未還原的鹵化銀。黑白照相中較常用的定影液是硫代硫酸鈉溶液。其中的硫代硫酸根離子（S2O32-）與銀離子形成可溶于水的穩定配合物，因而達到“固定”底片的目的。ITO顯影液的市場需求會隨著電子行業的...

當該風刀裝置40的***風刀41與該第二風刀42為了減少該基板20上所殘留的藥液51而吹出該氣體43時，該氣體43碰到該擋液板結構10后部分會往該復數個宣泄孔121流動，并朝向該第二擋板12的該上表面123宣泄而出，除了保有原有擋液板的防止該藥液51噴濺而造成的蝕刻不均現象，亦可達到以破真空的原理避免該氣體43在該基板20附近形成渦流而造成真空吸引問題；此外，為了避免由該噴灑裝置50噴灑而出的藥液51滴入該基板20上而造成蝕刻不均的問題，因此，該復數個宣泄孔121的孔徑a0必須要足夠小，例如：孔徑a0小于3mm，即可因毛細現象的作用，亦即該水滴于該宣泄孔121孔洞內的夾角θ等于該水滴與該第二擋...

可以充分的將蝕刻液中的亞銅離子電解轉化為金屬銅，起到循環電解蝕刻液的作用；裝置主體1左端表面靠近上端固定安裝有抽氣泵19，抽氣泵19下方設置有集氣箱21，集氣箱21與抽氣泵19之間連接有排氣管20，電解池4下端連接有二號排液管22，二號排液管22內部上端設置有二號電磁閥23，裝置主體1內部底端靠近左側設置有傾斜板24，裝置主體1前端表面靠近左上邊角位置設置有活動板25，分隔板2右端放置有蓄水箱26，蓄水箱26上端靠近右側連接有進水管27，回流管15下端連接有抽水管28，抽水管28內部上端設置有三號電磁閥29，裝置主體1前端表面靠近右側安裝有控制面板30，傾斜板24的傾斜角度設計為10°，活動板...

鋁板面蝕刻用：酸、堿都行。（鋁板是兩性材料，既能與酸反應，又能與堿反應，所以腐蝕液有的用堿性材料腐蝕，有的用酸性材料腐蝕，一般情況下，以酸性材料腐蝕的為多，堿性材料可以洗白。下好料的鋁板用棗木碳研磨，去掉油膩、劃痕，磨出啞光表面。然后用絲網版印上紋樣，油墨型號為80-39、80-59、80-49等。這種耐腐蝕油墨細膩，印出的紋樣質量高。印完紋樣后放進電爐內烘干，然后用即時貼封住后面，用膠帶封邊，進入腐蝕工藝。鋁板的腐蝕液配方如下：三氯化鐵50%硫酸銅50%水適量，波美度15～20°之間，鋁板腐蝕時應平放，在腐蝕的過程中紋樣上溢出赭紅色的滓渣，應隨時用毛刷去掉，鋁面上冒出大量泡泡，滓渣隨泡泡浮起...

使硝酸鉀儲罐21和其它儲罐的內部形成一個密閉的空間，避免環境外部的雜質進入儲罐內，有效的提高了裝置使用的密封性；緊接著，將磷酸與醋酸在個攪拌倉23中充分攪拌混合均勻，然后在第二個攪拌倉23中與硝酸充分攪拌混合均勻后，再進入配料罐中混合，將陰離子表面活性劑和聚氧乙烯型非離子表面活性劑在第三個攪拌倉23混合后再進入第四個攪拌倉23中，與氯化鉀、硝酸鉀、去離子水一起在第四個攪拌倉23中混合均勻，然后過濾后封裝，先檢查過濾板26進行更換或安裝，過濾部件9的內部兩側嵌入連接有過濾板26，常規的生產方法是將蝕刻液中的各組份在同一容器中一起混合，其分散混合性能差，蝕刻液雜質含量多，過濾板26能將蝕刻液內部的...

很好的對注入量進行精確控制，提高了該裝置的制備純度。附圖說明圖1為本實用新型的整體示意圖；圖2為本實用新型的a處放大示意圖；圖3為本實用新型的b處放大示意圖；圖4為本實用新型翻折觀察板沿a-a方向的截面示意圖。圖中：1、制備裝置主體，2、高效攪拌裝置，3、過濾除雜裝置，4、翻折觀察板，401、觀察窗翻折滾輪，402、內嵌觀察窗，5、裝置底座，6、成品罐，7、鹽酸裝罐，8、硝酸裝罐，9、熱水流入漏斗，10、加固支架，11、防燙隔膜，12、旋轉搖勻轉盤，13、運轉電機組，14、震蕩彈簧件，15、控制面板，16、致密防腐桿，17、攪動孔，18、注入量控制容器，19、注入量觀察刻度線，20、限流銷，2...

推薦的，所述制備裝置主體的兩端緊密貼合有防燙隔膜。推薦的，所述高效攪拌裝置是由內部頂部中間部位的旋轉搖勻轉盤，內部頂部兩側的震蕩彈簧件，震蕩彈簧件頂端的運轉電機組，運轉電機組頂端的控制面板，內部中間部位的致密防腐桿和致密防腐桿內部內側的攪動孔共同組合而成。推薦的，所述注入量精確調配裝置是由鹽酸裝罐內部一側的嵌入引流口，嵌入引流口一端的負壓引流器，負壓引流器一端的注入量控制容器，注入量控制容器內部內側的注入量觀察刻度線和注入量控制容器一側的限流銷共同組合而成。與現有技術相比，本種實用新型的有益效果是:1.通過設置高效攪拌裝置，該裝置通過運轉電機組驅動旋轉搖勻轉盤，使旋轉搖勻轉盤帶動高效攪拌裝置進...

以帶動該基板20由該噴灑裝置50下端部朝向該風刀裝置40的該***風刀41下端部的方向移動。該風刀裝置40設置于該擋液板結構10的一端部，該風刀裝置40包括有一設置于該基板20上方的***風刀41，以及一設置于該基板20下方的第二風刀42，其中該***風刀41與該第二風刀42分別吹出一氣體43至該基板20，以將該基板20上的一藥液51帶往與相反于該基板20的行進方向，以使該基板20上該藥液51減少，其中該氣體43遠離該***風刀41與該第二風刀42的方向分別與該基板20的法線方向夾設有一第三夾角θ3，且該第三夾角θ3介于20度至35度之間。此外，請一并參閱圖8與圖9所示，為本實用新型蝕刻設備其...

從蝕刻速度及安全性的觀點來看，推薦為40℃至70℃，更推薦為45℃至55℃。處理時間視對象物的表面狀態及形狀等而變化，通常為30秒至120秒左右。實施例然后，對本發明的實施例與比較例一起進行說明。此外，本發明并非限定于下述實施例而解釋。制備表1及表2所示的組成的各蝕刻液，在下述條件下進行蝕刻試驗及蝕刻液的穩定性試驗。此外，表1及表2所示的組成的各蝕刻液中，剩余部分為離子交換水。另外，表1及表2所示的鹽酸的濃度為以氯化氫計的濃度。(蝕刻試驗)通過濺鍍法在樹脂上形成50nm的鈦膜，然后成膜200nm的銅膜，進而通過電鍍銅在該銅膜上形成圖案，將所得的基板用作試樣。使用銅的蝕刻液，將試樣的濺鍍銅膜溶解...

負的值表示厚度減小。上述蝕刻液組合物以在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻上述氮化物膜為特征，上述氧化物膜推薦包含sio2，上述氮化物膜推薦包含sin。上述蝕刻液組合物用于3dnand閃存制造工序，能夠使上述氮化物膜去除工序中發生的副反應氧化物的殘留和氧化物膜損傷不良問題**少化。本發明的蝕刻液組合物包含如上選擇的添加劑，在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*選擇性蝕刻氮化物膜時，能夠使因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完全去除的不良(參照圖2)以及氮化物膜雖被完全去除但也造成氧化物膜損傷(damage)的工序不良(參照圖3)的發生**少化。因副反應氧化物的殘留時間變長而氮化物膜未被完...

所述裝置主體的內部底部中間部位固定連接有常閉式密封電磁閥，所述連接構件的內側固定連接有過濾部件，所述裝置主體的內部底端另一側固定連接有收集倉，所述收集倉的另一側底部固定連接有密封閥門，所述過濾部件的頂端兩側活動連接有滑動蓋，所述過濾部件的內部中間兩側固定連接有收縮彈簧管，所述連接構件的內側兩端嵌入連接有螺紋管，所述連接構件的內部中間兩側活動連接有活動軸，所述連接構件的內側中間兩側嵌入連接有密封軟膠層。推薦的，所述硝酸鉀儲罐的頂部嵌入連接有密封環。推薦的，所述連接構件的兩側嵌入連接有海綿層。推薦的，所述支撐腿的底端嵌入連接有防滑紋。推薦的，所述過濾部件的內部兩側嵌入連接有過濾板。推薦的，所述過濾...

目前的平面顯示裝置，尤其是有機電激發光顯示器，多使用鉻金屬作為導線的材料。但是因為鉻金屬的阻值高，因此研究者一直在尋求利用阻值較低的金屬作為導線的材料。以往曾經有提議以銀作為平面顯示裝置的導線材料，但是因為無適當穩定的蝕刻液組成物，所以并未有***的運用。近幾年為提高平面顯示裝置的效能，研究者仍專注于如何降低導線材料的電阻值。銀合金目前被視為適當的導線材料，因其阻值低于其他的金屬。此外，含銀量超過80％以上的銀合金，雖然阻值未若銀金屬一般低，但是其阻值遠低于鉻金屬。然而由于銀合金未具有適當的蝕刻液，所以并沒有廣泛應用于晶片或面板的黃光制程。發明人爰因于此，本于積極發明的精神，亟思一種可以解決上...

將裝置主體1內部的蝕刻液進行清洗，具有很好的清理作用。工作原理：對于這類的回收處理裝置，首先將蝕刻液倒入進液漏斗6并由過濾網7過濾到進液管8中，之后蝕刻液流入到承載板3上的電解池4中時，啟動液壓缸11帶動伸縮桿12向上移動，從而通過圓環塊13配合連接桿14和伸縮管9帶動噴頭10向上移動，進而將蝕刻液緩慢的由噴頭10噴入到電解池4中，避免蝕刻液對電解池4造成沖擊而影響其使用壽命，具有保護電解池4的功能，之后金屬銅在隔膜5左側析出；其次在蝕刻液初次電解后，通過控制面板30啟動增壓泵16并打開一號電磁閥18，將蝕刻液通過回流管15抽入到一號排液管17中，并由進液管8導入到伸縮管9中，直至蝕刻液由噴頭...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學品產品，廣泛應用于平板顯示、LED制造及半導體制造領域。隨著新技術的不斷進步，對該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎上我司自主進行了無氟，無硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產品特點：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩定72H，常溫可穩定120H；無暴沸現象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結構不同膜厚度的機種。如何挑選一款適合自己公司的...

本發明涉及一種用來在銅的存在下選擇性地蝕刻鈦的蝕刻液及使用該蝕刻液的蝕刻方法。背景技術：以往，在蝕刻鈦時一直使用含有氫氟酸或過氧化氫的蝕刻液。例如專利文獻1中提出了一種鈦的蝕刻液，該鈦的蝕刻液是用來在銅或鋁的存在下蝕刻鈦，并且該蝕刻液的特征在于：利用由10重量％至40重量％的過氧化氫、％至5重量％的磷酸、％至％的膦酸系化合物及氨所構成的水溶液將pH值調整為7至9。但是，含有氫氟酸的蝕刻液存在毒性高的問題，含有過氧化氫的蝕刻液存在缺乏保存穩定性的問題。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特許第4471094號說明書。技術實現要素：發明所要解決的問題本發明是鑒于所述實際情況而成，其目的在于提供一種...

銅蝕刻液近期成為重要的微電子化學品產品，廣泛應用于平板顯示、LED制造及半導體制造領域。隨著新技術的不斷進步，對該蝕刻液也有了更高的要求。并且之前市場上的銅蝕刻液成分普遍存在含氟、硝酸或高濃度雙氧水的情況。在此基礎上我司自主進行了無氟，無硝酸，低雙氧水濃度銅蝕刻液的研發，并可兼容于不同CuMo鍍膜厚度之工藝。產品特點：1.6%雙氧水濃度的銅蝕刻液lifetime可至7000ppm。2.末期銅蝕刻液工藝溫度（32）下可穩定72H，常溫可穩定120H；無暴沸現象。3.銅蝕刻液CD-Loss均一性良好，taper符合制程要求。4.銅蝕刻液可兼容MoCu結構不同膜厚度的機種。蝕刻液可以用在哪些行業當中...

可用于銀鎳合金、銀銅合金以及純銀的蝕刻，蝕刻后板面平整光滑。劑對油墨沒有影響，可用于花紋蝕刻處理。三、使用方法：1、原液使用，不須加水，操作溫度可以是25℃-60℃，溫度越高，速度越快。2、將銀板浸泡在銀蝕刻劑中。用軟毛刷來回輕輕刷動，使藥水與銀充分均勻反應；或者也可以用搖床，使藥水來回動運，使板蝕刻速度加快。但不能超聲波，以免破壞（感光）油墨。參考數據：50℃→5分鐘→0.1毫米深度。30℃→20分鐘→0.1毫米深度。3、水洗后做后續處理。哪家公司的蝕刻液是比較劃算的？江蘇京東方用的蝕刻液蝕刻液推薦貨源上述硅烷系偶聯劑的選擇方法的特征在于，選擇上述硅烷系偶聯劑的反應位點(activesite...

技術實現要素：本實用新型所解決的技術問題即在于提供一種擋液板結構與以之制備的蝕刻設備，尤其是指一種適用于濕式蝕刻機的擋液排液功能且增加其透氣性以降低產品損耗的擋液板結構與以之制備的蝕刻設備，主要借由具有復數個宣泄孔的擋液板結構搭配風刀裝置的硬體設計，有效使風刀裝置吹出的氣體得以經由宣泄孔宣泄，并利用水滴的表面張力現象防止水滴由宣泄孔落下造成基板顯影不均等異常現象，確實達到保有原始擋液板的擋液效果，以及增加透氣性以破除真空以減少因真空吸板導致的基板刮傷或破片風險等主要優勢。本實用新型所采用的技術手段如下所述。為了達到上述的實施目的，本實用新型提出一種擋液板結構，適用于一濕式蝕刻機，擋液板結構包括...

可以維持合適的蝕刻速度且提高sin/sio2選擇比。(b)硅烷系偶聯劑本發明的蝕刻液組合物中所包含的上述硅烷(silane)系偶聯劑作為防蝕劑可以在防止包含氧化物膜和氮化物膜的膜中的氧化物膜被上述磷酸氧化時使用。上述硅烷系偶聯劑推薦使上述硅烷系偶聯劑的反應位點(activesite)的數量除以上述硅烷系偶聯劑的水解(hydrolysis)了的形態的分子量之后乘以，更推薦滿足。上述硅烷系偶聯劑推薦按照蝕刻液組合物的蝕刻程度(etchingamount，e/a)滿足以上以下的范圍的濃度來添加。上述硅烷系偶聯劑推薦為選自由原硅酸四乙酯(tetraethylorthosilicate)、雙(三乙氧基甲...

也很難保證拖車在地磅頂部不移動。在地磅的頂部平臺中設置有兩條卡塊40，卡塊與平臺之間形成一插槽，在地磅的頂部設置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動夾緊機構，壓緊塊位于插槽中，氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車的邊緣沿插槽插入后，氣缸帶動壓緊塊下行將拖車緊緊壓在地磅的頂部。實施例二本實施例基于實施例一。如圖2所示，在拖車的頂部設置有一圈圍設在儲存罐外部的護欄70，以防止其它物品碰撞儲存罐。實施例三本實施例基于實施例一。如圖3所示，在拖車的頂部設置有一集液盒，儲存罐安裝在集液盒80中，過濾器的出液管及灌裝頭的快速接頭從儲存罐中拔出時滴落的鋁蝕刻液，由集液盒進行收集。實施例四本實施例基于實施例一。如圖4所...

提高反應體系的穩定性。當體系中加入過氧化氫后有助于提高過氧化氫的穩定性，避免由于過氧化氫分解而引發的，提高生產的安全性。具體實施方式下面結合實施例，對本發明的具體實施方式作進一步描述。以下實施例用于更加清楚地說明本發明的技術方案，而不能以此來限制本發明的保護范圍。一種酸性銅蝕刻液的生產工藝，所述工藝包括以下步驟：第一步：將純水進行低溫處理，使純水溫度≤10℃在純水罐中備用；純水罐中設有通過電路控制的電磁閥，當純水溫度高于10℃時，電磁閥無法打開。第二步：配制和準備原料，將亞氨基二乙酸、氫氟酸和乙醇酸分別投入對應的原料罐中，經過過濾器循環過濾，備用；將hno3、四甲基氫氧化銨、h2o2分別投入對...

在上述硅烷系偶聯劑的含量處于上述含量范圍內的情況下，能夠調節添加劑本身凝膠化，且獲得合適的sio2防蝕和sin蝕刻性能。(c)水本發明的蝕刻液組合物中所包含的上述水可以為用于半導體工序的去離子水，推薦使用18mω/㎝以上的上述去離子水。上述水的含量可以為使包含本發明的必須成分以及除此以外的其他成分的組合物總重量成為100重量％的余量。推薦可以按照本發明的組合物總重量的2～45重量％來包含。此外，本發明提供選擇用于在包含氧化物膜和氮化物膜的膜中*對上述氮化物膜選擇性蝕刻的蝕刻液組合物的添加劑的方法、由此選擇的添加劑以及利用該添加劑的蝕刻方法。上述蝕刻液組合物中說明的、對于添加劑選擇等的一切內容均...

618光電行業ITO**蝕刻液,專門針對氧化銦錫(ITO)玻璃導電薄膜鍍層圖線的脫膜蝕刻,它對于高阻抗ITO玻璃導電膜(PET-ITO)以及低阻抗ITO玻璃導電膜(PET-ITO)都且有優良的蝕刻速度與效果。具有速度快、側蝕小、無沉淀、氣味小、不攻擊抗蝕層,不攻擊基材,操作控制簡便靈活等非常***的優點,可采取自動控制系統補加,也可人工補加方式。更重要的是絲毫不改變產品的導電阻抗電性數據。二、產品特點1)速度快市場之一般ITO蝕刻液速度大都在0.5nm/s,而KBX-618AITO蝕刻液蝕刻速度正常控制在2-10nm/s,速度快(具體設備情況有所差異)2)氣味小、無煙霧、對皮膚刺激*目前市場蝕...

也很難保證拖車在地磅頂部不移動。在地磅的頂部平臺中設置有兩條卡塊40，卡塊與平臺之間形成一插槽，在地磅的頂部設置有包括氣缸50和壓緊塊60的氣動夾緊機構，壓緊塊位于插槽中，氣缸的伸縮桿與壓緊塊固連。拖車的邊緣沿插槽插入后，氣缸帶動壓緊塊下行將拖車緊緊壓在地磅的頂部。實施例二本實施例基于實施例一。如圖2所示，在拖車的頂部設置有一圈圍設在儲存罐外部的護欄70，以防止其它物品碰撞儲存罐。實施例三本實施例基于實施例一。如圖3所示，在拖車的頂部設置有一集液盒，儲存罐安裝在集液盒80中，過濾器的出液管及灌裝頭的快速接頭從儲存罐中拔出時滴落的鋁蝕刻液，由集液盒進行收集。實施例四本實施例基于實施例一。如圖4所...