該設(shè)備搭載的 - 80℃深制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡形成黃金組合，從硬件層面確保了超高檢測靈敏度的穩(wěn)定輸出。這種良好的性能使其能夠突破微光信號檢測的技術(shù)瓶頸，即便在微弱漏電流環(huán)境下，依然能捕捉到納米級的極微弱發(fā)光信號，將傳統(tǒng)設(shè)備難以識別的細(xì)微缺陷清晰呈現(xiàn)。作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的關(guān)鍵檢測工具，它為質(zhì)量控制與失效分析提供了可靠的解決方案：在生產(chǎn)環(huán)節(jié)，可通過實(shí)時(shí)監(jiān)測提前發(fā)現(xiàn)潛在的漏電隱患，幫助企業(yè)從源頭把控產(chǎn)品質(zhì)量；在失效分析階段，借助高靈敏度成像技術(shù)，能快速鎖定漏電缺陷的位置，并支持深度溯源分析，為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝提供精密的數(shù)據(jù)支撐。 微光顯微鏡可結(jié)合紅外探測，實(shí)現(xiàn)跨波段復(fù)合檢測。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡分析

在半導(dǎo)體集成電路（IC）的失效分析場景里，EMMI 發(fā)揮著無可替代的作用。隨著芯片集成度不斷攀升，數(shù)十億個(gè)晶體管密集布局在方寸之間，任何一處細(xì)微故障都可能導(dǎo)致整個(gè)芯片功能癱瘓。當(dāng) IC 出現(xiàn)功能異常，工程師借助 EMMI 對芯片表面進(jìn)行逐點(diǎn)掃描，一旦檢測到異常的光發(fā)射區(qū)域，便如同找到了通往故障的 “線索”。通過對光信號強(qiáng)度、分布特征的深入剖析，能夠判斷出是晶體管漏電、金屬布線短路，亦或是其他復(fù)雜的電路缺陷，為后續(xù)的修復(fù)與改進(jìn)提供關(guān)鍵依據(jù)，保障電子產(chǎn)品的穩(wěn)定運(yùn)行。半導(dǎo)體微光顯微鏡用戶體驗(yàn)Thermal EMMI 無需破壞封裝，對芯片進(jìn)行無損檢測，有效定位 PN 結(jié)熱漏電故障。

EMMI 的技術(shù)基于半導(dǎo)體物理原理，當(dāng)半導(dǎo)體器件內(nèi)部存在缺陷導(dǎo)致異常電學(xué)行為時(shí)，會(huì)引發(fā)電子 - 空穴對的復(fù)合，進(jìn)而產(chǎn)生光子發(fā)射。設(shè)備中的高靈敏度探測器如同敏銳的 “光子獵手”，能將這些微弱的光信號捕獲。例如，在制造工藝中，因光刻偏差或蝕刻過度形成的微小短路，傳統(tǒng)檢測手段難以察覺，EMMI 卻能憑借其對光子的探測，將這類潛在問題清晰暴露，助力工程師快速定位，及時(shí)調(diào)整工藝參數(shù)，避免大量不良品的產(chǎn)生，極大提升了半導(dǎo)體制造的良品率與生產(chǎn)效率。

致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能 InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）熱輻射信號的高精度捕捉。InSb 材料具備優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低本征噪聲，在制冷條件下可實(shí)現(xiàn) nW 級熱靈敏度與優(yōu)于 20 mK 的溫度分辨率，支持高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應(yīng)用，不僅提升了空間分辨率（可達(dá)微米量級）與溫度響應(yīng)線性度，還能對半導(dǎo)體器件和微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點(diǎn)遷移及瞬態(tài)熱行為進(jìn)行精細(xì)刻畫。結(jié)合致晟光電自主研發(fā)的高數(shù)值孔徑光學(xué)系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺，InSb 探測器可在多物理場耦合環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高時(shí)空分辨的熱場成像，是先進(jìn)電子器件失效分析、電熱耦合機(jī)理研究以及材料熱特性評估中的前沿技術(shù)。技術(shù)員依靠圖像快速判斷。

在實(shí)際開展失效分析工作前，通常需要準(zhǔn)備好檢測樣品，并完成一系列前期驗(yàn)證，以便為后續(xù)分析提供明確方向。通過在早期階段進(jìn)行充分的背景調(diào)查與電性能驗(yàn)證，工程師能夠快速厘清失效發(fā)生的環(huán)境條件和可能原因，從而提升分析的效率與準(zhǔn)確性。

首先，失效背景調(diào)查是不可或缺的一步。它需要對芯片的型號、應(yīng)用場景及典型失效模式進(jìn)行收集和整理，例如短路、漏電、功能異常等。同時(shí)，還需掌握失效比例和使用條件，包括溫度、濕度和電壓等因素。

微光顯微鏡適配多種探測模式，兼顧科研與工業(yè)應(yīng)用。微光顯微鏡用戶體驗(yàn)

微光顯微鏡憑借高信噪比，能清晰捕捉微弱光信號。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡分析

Obirch（光束誘導(dǎo)電阻變化）與EMMI微光顯微鏡是同一設(shè)備的不同工作模式。當(dāng)金屬覆蓋區(qū)域存在熱點(diǎn)時(shí)，Obirch（光束誘導(dǎo)電阻變化）同樣能夠?qū)崿F(xiàn)有效檢測。兩種模式均支持正面與背面的失效定位，可在大范圍內(nèi)快速且精確地鎖定集成電路中的微小缺陷點(diǎn)。結(jié)合后續(xù)的去層處理、掃描電鏡（SEM）分析及光學(xué)顯微鏡觀察，可對缺陷進(jìn)行明確界定，進(jìn)一步揭示失效機(jī)理并開展根因分析。因此，這兩種模式在器件及集成電路的失效分析領(lǐng)域得到了深入的應(yīng)用。
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