作為國內半導體失效分析設備領域的原廠，蘇州致晟光電科技有限公司（簡稱“致晟光電”）專注于ThermalEMMI系統的研發與制造。與傳統熱紅外顯微鏡相比，ThermalEMMI的主要差異在于其功能定位：它并非對溫度分布進行基礎測量，而是通過精確捕捉芯片工作時因電流異常產生的微弱紅外輻射，直接實現對漏電、短路、靜電擊穿等電學缺陷的定位。該設備的重要技術優勢體現在超高靈敏度與微米級分辨率上：不僅能識別納瓦級功耗所產生的局部熱熱點，還能確保缺陷定位的精細度，為半導體芯片的研發優化與量產階段的品質控制，提供了可靠的技術依據與數據支撐。電激勵與鎖相熱成像系統，實現微缺陷檢測。廠家鎖相紅外熱成像系統成像儀

鎖相紅外熱成像系統是融合鎖相技術與紅外熱成像技術的失效檢測設備，其主要原理是通過向被測目標施加周期性激勵信號，利用鎖相放大器對目標表面產生的微弱周期性溫度變化進行精確提取與放大，從而結合紅外熱成像模塊生成高對比度的熱分布圖像。相較于傳統紅外熱成像設備，該系統比較大優勢在于具備極強的抗干擾能力 —— 能夠有效過濾環境溫度波動、背景輻射等非目標噪聲，即使目標表面溫度變化為毫開爾文級別，也能通過鎖相解調技術精確捕捉。科研用鎖相紅外熱成像系統規格尺寸電激勵作為一種能量輸入方式，能激發物體內部熱分布變化，為鎖相熱成像系統捕捉細微溫差提供熱源基礎。

尤其在先進制程芯片研發過程中，鎖相紅外熱成像系統能夠解析瞬態熱行為和局部功耗分布，為優化電路布局、改善散熱方案提供科學依據。此外，該系統還可用于可靠性評估和失效分析，通過對不同環境和工況下器件的熱響應進行分析，為量產工藝改進及產品穩定性提升提供數據支撐。憑借高靈敏度、高空間分辨率和可靠的信號提取能力，鎖相紅外熱成像系統已經成為半導體研發與失效分析中不可或缺的技術手段，為工程師實現精細化熱管理和產品優化提供了有力保障。

在電子設備研發、生產與運維過程中，芯片、電路板的局部過熱故障是導致設備性能下降、壽命縮短甚至燒毀的主要原因，而傳統檢測方法難以快速定位微小區域的過熱問題。鎖相紅外熱成像系統憑借高空間分辨率與高溫度靈敏度，成為電子設備過熱故障檢測的高效工具。檢測時，系統對電子設備施加周期性電激勵（如模擬設備正常工作時的負載電流），此時芯片內的晶體管、電路板上的焊點等若存在接觸不良、短路、老化等問題，會因電阻異常增大產生局部過熱，形成與激勵同頻的熱響應。系統通過紅外焦平面陣列捕捉這些細微的熱信號，經鎖相處理后生成清晰的熱圖像，可精細定位過熱區域，溫度測量精度達 ±0.1℃，空間分辨率可識別 0.1mm×0.1mm 的微小過熱點。在手機芯片研發中，該系統可檢測芯片封裝過程中的散熱通道堵塞問題；在服務器運維中，能快速發現主板上老化的電容導致的局部過熱，為電子設備的可靠性設計、生產質量管控與故障排查提供了關鍵技術支持。電激勵與鎖相熱成像系統，電子檢測黃金組合。

從技術原理層面來看，鎖相紅外熱成像系統建立了一套完整的“熱信號捕捉—解析—成像”的工作鏈路。系統的單元為高性能紅外探測器，例如 RTTLIT P20 所搭載的 100Hz 高頻深制冷型紅外探測器，能夠在中波紅外波段對極其微弱的熱輻射進行高靈敏度捕捉。這種深制冷設計降低了本底噪聲，使得原本容易被掩蓋的細小溫度差異得以清晰呈現。與此同時，設備還融合了 InGaAs 微光顯微鏡模塊，從而在一次檢測過程中同時實現熱輻射信號與光子發射的協同觀測。雙模信息的疊加不僅提升了缺陷識別的準確性，也為復雜電路中的多維度失效機理分析提供了堅實依據。通過這種架構，工程師能夠在不破壞樣品的前提下，對潛在缺陷進行更直觀和深入的探測，進而為后續的工藝優化和可靠性驗證提供科學支撐。電激勵模塊是通過源表向被測物體施加周期性方波電信號，通過焦耳效應使物體產生周期性的溫度波動。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統P20

利用周期性調制的熱激勵源對待測物體加熱，物體內部缺陷會導致表面溫度分布產生周期性變化。廠家鎖相紅外熱成像系統成像儀

盡管鎖相紅外技術在檢測領域具有優勢，但受限于技術原理，它仍存在兩項局限性，需要在實際應用中結合場景需求進行平衡。首先，局限性是 “系統復雜度較高”：由于鎖相紅外技術需要對檢測對象施加周期性熱激勵，因此必須額外設計專門的熱激勵裝置 —— 不同的檢測對象（如半導體芯片、復合材料等）對激勵功率、頻率、方式的要求不同，需要針對性定制激勵方案，這不僅增加了設備的整體成本，也提高了系統搭建與調試的難度，尤其在多場景切換檢測時，需要頻繁調整激勵參數，對操作人員的技術水平提出了更高要求。廠家鎖相紅外熱成像系統成像儀