某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個數(shù)量級。基于該技術(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM 光刻機：無掩模激光技術(shù)，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實驗室微納加工。安徽德國桌面無掩模光刻機可以自動聚焦波長

某半導體實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍寶石襯底上實現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。河北桌面無掩模光刻機可以自動聚焦波長圖案靈活性：支持 STL 模型直接導入，30 分鐘完成從設(shè)計到曝光全流程。

上海有機化學研究所通過光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復性（0.1 μm）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。

Polos光刻機與德國Lab14集團、弗勞恩霍夫研究所等機構(gòu)合作，推動光子集成與半導體封裝技術(shù)發(fā)展。例如，Quantum X align系統(tǒng)的高對準精度（100 nm）為光通信芯片提供可靠解決方案，彰顯德國精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-μPrinter 入選《半導體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動無掩模光刻技術(shù)普及。

柔性電子是未來可穿戴設(shè)備的core方向，其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機的無掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光，解決了傳統(tǒng)掩模對準偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備，開發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測貼片，其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝，Polos 光刻機將打樣時間從 72 小時壓縮至 8 小時，加速了柔性電路的迭代優(yōu)化，推動柔性電子從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。Polos-BESM：基礎(chǔ)款高性價比，適合高校實驗室基礎(chǔ)微納加工。北京PSP光刻機

緊湊桌面設(shè)計：Polos-BESM系統(tǒng)only占桌面空間，適合實驗室高效原型開發(fā)。安徽德國桌面無掩模光刻機可以自動聚焦波長

Polos-BESM支持GDS文件直接導入和多層曝光疊加，簡化射頻器件（如IDC電容器）制造流程。研究團隊利用類似設(shè)備成功制備高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。其高重復性（0.1 μm）確保科研成果的可轉(zhuǎn)化性，助力國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破技術(shù)封鎖56。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。安徽德國桌面無掩模光刻機可以自動聚焦波長