唯恒塬環(huán)保科技（蘇州）有限公司2025-09-16

碳氫真空清洗機清洗半導體封裝用金屬引線框架（如銅合金、鐵鎳合金框架），需滿足 “無殘留、無腐蝕、無劃傷” 的半導體級要求，通過 “超純清洗 + 精密控制” 實現(xiàn)。首先，清洗劑選擇主要，使用半導體級超純碳氫清洗劑（純度≥99.999%），金屬離子（Na、K、Fe、Cu）含量≤0.01ppb，顆粒含量（粒徑≥0.1μm）≤1 個 /mL，通過 SEMI C12 認證，避免金屬離子、顆粒污染半導體芯片；清洗劑需經 0.01μm 超精密過濾，確保無雜質。其次，清洗工藝準確設計，針對引線框架的引腳間隙（通常 0.1-0.3mm），采用 “高頻超聲波 + 真空滲透” 組合：超聲波頻率 100-120kHz，功率每升清洗液 10-15W，高頻振動能深入引腳間隙，去除助焊劑殘留、沖壓油，且避免引腳變形；清洗溫度控制在 35-40℃，低于引線框架鍍層（如鍍金、鍍銀）的耐熱溫度，防止鍍層變色；清洗時間 6-8 分鐘，采用 “真空 - 破真空” 循環(huán) 2 次（每次抽真空至 - 0.095MPa），促進清洗劑滲透，帶出間隙內污染物。再者，漂洗與干燥強化，漂洗采用 “三次超純清洗”：前兩次使用回收純化后的清洗劑，第三次使用全新清洗劑，每次漂洗 3 分鐘，確保無殘留；真空干燥階段，通入超純氮氣（純度≥99.9999%），溫度 50℃，真空度 - 0.098MPa，干燥時間 12 分鐘，氮氣能防止引線框架氧化，同時加速清洗劑揮發(fā)。清洗后檢測采用半導體行業(yè)使用設備：激光顆粒計數(shù)器檢測表面顆粒（≤0.1μm 顆?！? 個 /cm2），X 射線熒光光譜儀檢測金屬離子（≤0.01ppb），確保符合 SEMI C17 標準，滿足半導體封裝對引線框架的高潔凈度要求。

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