針對(duì)小批量多品種的研發(fā)型生產(chǎn)需求，中清航科提供柔性化切割解決方案。其模塊化設(shè)計(jì)的切割設(shè)備可在30分鐘內(nèi)完成不同規(guī)格晶圓的換型調(diào)整，配合云端工藝數(shù)據(jù)庫(kù)，存儲(chǔ)超過(guò)1000種標(biāo)準(zhǔn)工藝參數(shù)，工程師可快速調(diào)用并微調(diào)，大幅縮短新產(chǎn)品導(dǎo)入周期，為科研機(jī)構(gòu)與初創(chuàng)企業(yè)提供靈活高效的加工支持。晶圓切割后的檢測(cè)環(huán)節(jié)直接關(guān)系到后續(xù)封裝的質(zhì)量。中清航科將AI視覺(jué)檢測(cè)技術(shù)與切割設(shè)備深度融合，通過(guò)深度學(xué)習(xí)算法自動(dòng)識(shí)別切割面的微裂紋、缺口等缺陷，檢測(cè)精度達(dá)0.5μm，檢測(cè)速度提升至每秒300個(gè)Die，實(shí)現(xiàn)切割與檢測(cè)的一體化流程，避免不良品流入下道工序造成的浪費(fèi)。中清航科定制刀輪應(yīng)對(duì)超薄晶圓切割，碎片率降至0.1%以下。浙江碳化硅晶圓切割企業(yè)

中清航科ESG解決方案：設(shè)備內(nèi)置能源管理模塊，智能調(diào)節(jié)激光功率與主軸轉(zhuǎn)速，單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺(tái)每8小時(shí)生成減排報(bào)告，助力客戶(hù)達(dá)成碳中和目標(biāo)，已獲全球25家代工廠(chǎng)采購(gòu)認(rèn)證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開(kāi)發(fā)脈沖電流輔助切割，在刀片-晶圓界面施加微電流（<10mA），瞬時(shí)加熱至150℃軟化金層，剝離風(fēng)險(xiǎn)下降90%，剪切強(qiáng)度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng)：通過(guò)LIBS（激光誘導(dǎo)擊穿光譜）在線(xiàn)分析顆粒元素構(gòu)成，自動(dòng)推薦冷卻液配方調(diào)整方案。幫助客戶(hù)減少因金屬污染導(dǎo)致的芯片失效，良率提升1.2%。杭州sic晶圓切割廠(chǎng)中清航科聯(lián)合高校成立切割技術(shù)研究院，突破納米級(jí)切割瓶頸。

大規(guī)模量產(chǎn)場(chǎng)景中，晶圓切割的穩(wěn)定性與一致性至關(guān)重要。中清航科推出的全自動(dòng)切割生產(chǎn)線(xiàn)，集成自動(dòng)上下料、在線(xiàn)檢測(cè)與NG品分揀功能，單臺(tái)設(shè)備每小時(shí)可處理30片12英寸晶圓，且通過(guò)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)多設(shè)備協(xié)同管控，設(shè)備綜合效率（OEE）提升至90%以上，明顯降低人工干預(yù)帶來(lái)的質(zhì)量波動(dòng)。隨著芯片集成度不斷提高，晶圓厚度逐漸向超薄化發(fā)展，目前主流晶圓厚度已降至50-100μm，切割過(guò)程中極易產(chǎn)生變形與破損。中清航科創(chuàng)新采用低溫輔助切割技術(shù)，通過(guò)局部深冷處理增強(qiáng)晶圓材料剛性，配合特制真空吸附平臺(tái)，確保超薄晶圓切割后的翹曲度小于20μm，為先進(jìn)封裝工藝提供可靠的晶圓預(yù)處理保障。

隨著芯片輕薄化趨勢(shì)，中清航科DBG（先切割后研磨）與SDBG（半切割后研磨）設(shè)備采用漸進(jìn)式壓力控制技術(shù)，切割階段只切入晶圓1/3厚度，經(jīng)背面研磨后自動(dòng)分離。該方案將100μm以下晶圓碎片率降至0.01%，已應(yīng)用于5G射頻模塊量產(chǎn)線(xiàn)。冷卻液純度直接影響切割良率。中清航科納米級(jí)過(guò)濾系統(tǒng)可去除99.99%的0.1μm顆粒，配合自主研發(fā)的抗靜電添加劑，減少硅屑附著造成的短路風(fēng)險(xiǎn)。智能溫控模塊維持液體粘度穩(wěn)定，延長(zhǎng)刀片壽命200小時(shí)以上呢。中清航科切割工藝白皮書(shū)下載量超10萬(wàn)次，成行業(yè)參考標(biāo)準(zhǔn)。

中清航科動(dòng)態(tài)線(xiàn)寬控制系統(tǒng)利用實(shí)時(shí)共焦傳感器監(jiān)測(cè)切割槽形貌，通過(guò)AI算法自動(dòng)補(bǔ)償?shù)毒吣p導(dǎo)致的線(xiàn)寬偏差（精度±0.8μm）。該技術(shù)使12英寸晶圓切割道均勻性提升至97%，芯片產(chǎn)出量增加5.3%，年節(jié)省材料成本超$150萬(wàn)。針對(duì)消費(fèi)電子量產(chǎn)需求，中清航科開(kāi)發(fā)多光束并行切割引擎。6路紫外激光（波長(zhǎng)355nm）通過(guò)衍射光學(xué)元件分束，同步切割效率提升400%，UPH突破300片（12英寸），單顆芯片加工成本下降至$0.003。先進(jìn)制程芯片的低k介質(zhì)層易在切割中剝落。中清航科采用局部真空吸附+低溫氮?dú)饽患夹g(shù)，在切割區(qū)形成-30℃微環(huán)境，結(jié)合納米涂層刀具，介質(zhì)層破損率降低至0.01ppm，通過(guò)3nm芯片可靠性驗(yàn)證。切割粉塵回收模塊中清航科集成，重金屬污染減排90%以上。常州芯片晶圓切割測(cè)試

中清航科提供切割工藝認(rèn)證服務(wù)，助客戶(hù)通過(guò)車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。浙江碳化硅晶圓切割企業(yè)

為提升芯片產(chǎn)出量，中清航科通過(guò)刀片動(dòng)態(tài)平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導(dǎo)槽設(shè)計(jì)減少材料浪費(fèi)，使12英寸晶圓有效芯片數(shù)增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產(chǎn)生的亞微米級(jí)粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點(diǎn)10mm范圍內(nèi)形成負(fù)壓場(chǎng)，配合離子風(fēng)刀清理殘留顆粒，潔凈度達(dá)Class1標(biāo)準(zhǔn)（>0.3μm顆粒<1個(gè)/立方英尺）。中清航科設(shè)備內(nèi)置AOI（自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)）模塊，采用多光譜成像技術(shù)實(shí)時(shí)識(shí)別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內(nèi)完成芯片級(jí)判定，不良品自動(dòng)標(biāo)記，避免后續(xù)封裝資源浪費(fèi)，每年可為客戶(hù)節(jié)省品質(zhì)成本超百萬(wàn)。浙江碳化硅晶圓切割企業(yè)