半導體晶圓的制造過程制造過程始于一個大型單晶硅的生產（晶錠），制造方法包括直拉法與區熔法，這兩種方法都涉及從高純度硅熔池中控制硅晶體的生長。一旦晶錠生產出來，就需要用精密金剛石鋸將其切成薄片狀晶圓。隨后晶圓被拋光以達到鏡面般的光滑，確保在后續制造工藝中表面無缺陷。接著，晶圓會經歷一系列復雜的制造步驟，包括光刻、蝕刻和摻雜，這些步驟在晶圓表面上形成晶體管、電阻、電容和互連的復雜圖案。這些圖案在多個層上形成，每一層在電子器件中都有特定的功能。制造過程完成后，晶圓經過晶圓切割分離出單個芯片，芯片會被封裝并測試，集成到電子器件和系統中。中清航科納米涂層刀片壽命延長3倍，單刀切割達500片。宿遷砷化鎵晶圓切割寬度

針對晶圓切割過程中的靜電防護問題，中清航科的設備采用全流程防靜電設計。從晶圓上料的導電吸盤到切割區域的離子風扇，再到下料區的防靜電輸送軌道，形成完整的靜電防護體系，將設備表面靜電電壓控制在50V以下，有效避免靜電對敏感芯片造成的潛在損傷。中清航科的晶圓切割設備具備強大的數據分析能力，內置數據挖掘模塊可對歷史切割數據進行深度分析，識別影響切割質量的關鍵因素，如環境溫度波動、晶圓批次差異等，并自動生成工藝優化建議。通過持續的數據積累與分析，幫助客戶不斷提升切割工藝水平，實現持續改進。衢州碳化硅晶圓切割藍膜切割刀痕深度控制中清航科技術達±0.2μm，減少后續研磨量。

GaN材料硬度高且易產生解理裂紋。中清航科創新水導激光切割（WaterJetGuidedLaser），利用高壓水柱約束激光束，冷卻與沖刷同步完成。崩邊尺寸<8μm，熱影響區只2μm，滿足射頻器件高Q值要求。設備振動導致切割線寬波動。中清航科應用主動磁懸浮阻尼系統，通過6軸加速度傳感器實時生成反向抵消力，將振幅壓制在50nm以內。尤其適用于超窄切割道（<20μm）的高精度需求。光學器件晶圓需避免邊緣微裂紋影響透光率。中清航科紫外皮秒激光系統（波長355nm）配合光束整形模塊，實現吸收率>90%的冷加工，切割面粗糙度Ra<0.05μm，突破攝像頭模組良率瓶頸。

當晶圓切割面臨復雜圖形切割需求時，中清航科的矢量切割技術展現出獨特優勢。該技術可精確識別任意復雜切割路徑，包括圓弧、曲線及異形圖案，通過分段速度調節確保每一段切割的平滑過渡，切割軌跡誤差控制在2μm以內。目前已成功應用于光電子芯片的精密切割，為AR/VR設備中心器件生產提供有力支持。半導體生產車間的設備協同運作對通信兼容性要求極高，中清航科的晶圓切割設備多方面支持OPCUA通信協議，可與主流MES系統實現實時數據交互。通過標準化數據接口，將切割進度、設備狀態、質量數據等信息實時上傳至管理平臺，助力客戶實現生產過程的數字化管控與智能決策。中清航科推出切割廢料回收服務，晶圓利用率提升至99.1%。

為提升芯片產出量，中清航科通過刀片動態平衡控制+激光輔助定位，將切割道寬度從50μm壓縮至15μm。導槽設計減少材料浪費，使12英寸晶圓有效芯片數增加18%，明顯降低單顆芯片制造成本。切割產生的亞微米級粉塵是電路短路的元兇。中清航科集成靜電吸附除塵裝置，在切割點10mm范圍內形成負壓場，配合離子風刀清理殘留顆粒，潔凈度達Class1標準（>0.3μm顆粒<1個/立方英尺）。中清航科設備內置AOI（自動光學檢測）模塊，采用多光譜成像技術實時識別崩邊、微裂紋等缺陷。AI算法在0.5秒內完成芯片級判定，不良品自動標記，避免后續封裝資源浪費，每年可為客戶節省品質成本超百萬。晶圓切割MES系統中清航科定制，實時追蹤每片切割工藝參數。揚州晶圓切割

12英寸晶圓切割中清航科解決方案突破產能瓶頸，良率99.3%。宿遷砷化鎵晶圓切割寬度

中清航科ESG解決方案：設備內置能源管理模塊，智能調節激光功率與主軸轉速，單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺每8小時生成減排報告，助力客戶達成碳中和目標，已獲全球25家代工廠采購認證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發脈沖電流輔助切割，在刀片-晶圓界面施加微電流（<10mA），瞬時加熱至150℃軟化金層，剝離風險下降90%，剪切強度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統：通過LIBS（激光誘導擊穿光譜）在線分析顆粒元素構成，自動推薦冷卻液配方調整方案。幫助客戶減少因金屬污染導致的芯片失效，良率提升1.2%。宿遷砷化鎵晶圓切割寬度