在功率器件封裝中,即使經過多次熱循環和機械振動,TS-9853G依然能夠保持良好的連接性能,減少因EBO問題導致的產品失效,為功率器件的穩定運行提供了有力保障。在導熱性能方面,TS-9853G的導熱率達到130W/mK,處于半燒結銀膠的較高水平。這使得它在需要高效散熱的應用中能夠發揮出色的作用,能夠快速將電子元件產生的熱量傳導出去,降低芯片溫度,提高電子設備的性能和穩定性。它在固化過程中能夠形成更加均勻和穩定的連接結構,增強了銀膠與電子元件之間的結合力,從而提高了產品的長期可靠性。高導熱銀膠,提升設備可靠性。倒裝芯片工藝半燒結銀膠價目表
在實際應用案例中,在某品牌的智能手表生產中,由于手表內部空間緊湊,電子元件密集,對散熱材料的要求極高。同時,為了滿足手表的可穿戴特性,材料還需要具備一定的柔韌性。TS - 9853G 被應用于該智能手表的芯片與散熱基板之間的連接,其高導熱性能有效地將芯片產生的熱量導出,保證了芯片的正常工作溫度。其良好的柔韌性和耐化學腐蝕性,使得在手表日常使用過程中,即使受到一定的彎曲和拉伸,以及接觸到汗水等化學物質,銀膠依然能夠保持穩定的性能,確保了手表的可靠性和使用壽命 。倒裝芯片工藝半燒結銀膠價目表微米銀膠成本低,大眾電子適用。
電子封裝是高導熱銀膠的重要應用領域之一。在電子封裝過程中,高導熱銀膠主要用于芯片與基板、基板與散熱器之間的連接與散熱。隨著芯片集成度的不斷提高和尺寸的不斷縮小,芯片在工作時產生的熱量越來越多,如果不能及時有效地將熱量導出,將會導致芯片溫度過高,影響其性能和可靠性,甚至縮短其使用壽命。高導熱銀膠具有良好的導熱性和導電性,能夠在實現電氣連接的同時,迅速將芯片產生的熱量傳遞到基板和散熱器上,從而有效地降低芯片的工作溫度。例如,在集成電路(IC)封裝中,高導熱銀膠被廣泛應用于倒裝芯片(Flip - Chip)、球柵陣列(BGA)等先進封裝技術中,以提高封裝的散熱性能和可靠性。
TS - 1855 在加工性方面也表現出色。它具有長達 6 小時的粘結時間,這為電子封裝工藝提供了充足的操作時間,使得生產過程更加從容和高效。同時,它還具備可印刷性,能夠滿足不同的封裝工藝需求,無論是高精度的絲網印刷還是自動化的點膠工藝,TS - 1855 都能良好適配 。在 LED 封裝中,可印刷的 TS - 1855 能夠精確地涂覆在芯片與基板之間,實現高效的散熱和電氣連接,并且在較長的粘結時間內,操作人員有足夠的時間進行調整和優化,提高封裝質量。TS - 985A - G6DG,性能超卓。
與傳統散熱材料相比,高導熱銀膠的優勢明顯。傳統的散熱材料如普通硅膠,其導熱率較低,一般在 1 - 3W/mK 之間,無法滿足現代電子設備對高效散熱的需求。而高導熱銀膠的導熱率可達到 10W - 80W/mK,是普通硅膠的數倍甚至數十倍,能夠在短時間內將大量熱量傳導出去,很大提高了散熱效率 。在一些對散熱要求極高的應用場景中,高導熱銀膠的高導熱性能優勢更加突出。在數據中心的服務器中,大量的芯片同時工作會產生巨大的熱量,如果不能及時散熱,服務器的性能將受到嚴重影響。高導熱銀膠能夠將芯片熱量快速傳導至散熱系統,確保服務器在長時間高負載運行下的穩定性,提高數據處理效率 。不同銀膠導電,性能各有千秋。無腐蝕半燒結銀膠服務熱線
航空航天靠它,散熱穩定運行。倒裝芯片工藝半燒結銀膠價目表
燒結銀膠的燒結原理是基于固態擴散機制和液態燒結輔助機制。在固態擴散機制中,當燒結溫度升高到一定程度時,銀原子獲得足夠的能量開始活躍,銀粉顆粒之間通過原子的擴散作用逐漸形成連接。在燒結初期,銀粉顆粒之間先是通過點接觸開始形成燒結頸,隨著原子不斷擴散,顆粒間距離縮小,表面自由能降低,頸部逐漸長大變粗并形成晶界,晶界滑移帶動晶粒生長 ,坯體中的顆粒重排,接觸處產生鍵合,空隙變形、縮小。在燒結中期,顆粒和顆粒開始形成致密化連接,擴散機制包括表面擴散、表面晶格擴散、晶界擴散和晶界晶格擴散等,顆粒間的頸部繼續長大,晶粒逐步長大并且顆粒之間的晶界逐漸形成連續網絡,氣孔相互孤立,并逐漸形成球形,位于晶粒界面處或晶粒結合點處。倒裝芯片工藝半燒結銀膠價目表