到了燒結后期,由于晶界滑移導致的顆粒聚合特別迅速,使得顆粒間的致密化程度進一步提高,較終形成致密的金屬結構 。在一些燒結銀體系中,可能會存在少量液相,例如在某些含添加劑的銀膏燒結過程中,添加劑在加熱時可能會形成液相,液相的存在有助于銀原子的擴散,促進顆粒的重排和融合,加快燒結進程,使燒結體更加致密。不過,這種液相的量需要精確控制,以避免對燒結體性能產(chǎn)生不利影響。在電子封裝中,燒結銀膠通過燒結形成的高導熱、高導電的銀連接層,能夠為芯片提供高效的散熱和電氣連接,確保電子設備在高溫、高功率等惡劣條件下穩(wěn)定運行 。TS - 9853G 銀膠,符合歐盟 PFAS 要求。零助焊劑燒結銀膠行價
隨著電子設備小型化、高性能化的發(fā)展趨勢,對銀膠的市場需求將持續(xù)增長。在電子封裝領域,隨著芯片集成度的不斷提高,對散熱和電氣連接的要求也越來越高,高導熱銀膠、半燒結銀膠和燒結銀膠將得到更廣泛的應用 。在 5G 通信基站、人工智能芯片等品牌領域,對銀膠的性能要求極高,燒結銀膠憑借其優(yōu)異的性能將占據(jù)重要地位 。在新能源汽車領域,隨著新能源汽車市場的快速發(fā)展,對電池模塊、電機控制器和逆變器等關鍵部件的性能要求也在不斷提高。零助焊劑燒結銀膠行價新能源汽車,TS - 1855 保障功率模塊。
高導熱銀膠在電子設備散熱方面具有有效優(yōu)勢。隨著電子設備的功率不斷提升,散熱問題成為制約其性能和可靠性的關鍵因素。高導熱銀膠憑借其出色的導熱性能,能夠快速將電子元件產(chǎn)生的熱量傳導出去,有效降低芯片結溫。在智能手機中,高導熱銀膠可以將處理器芯片產(chǎn)生的熱量迅速傳遞到手機外殼,實現(xiàn)高效散熱,避免因過熱導致的性能下降和電池壽命縮短。與傳統(tǒng)散熱材料相比,高導熱銀膠的優(yōu)勢明顯。傳統(tǒng)的散熱材料如普通硅膠,其導熱率較低,一般在1-3W/mK之間,無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效散熱的需求。
燒結銀膠的燒結原理是基于固態(tài)擴散機制和液態(tài)燒結輔助機制。在固態(tài)擴散機制中,當燒結溫度升高到一定程度時,銀原子獲得足夠的能量開始活躍,銀粉顆粒之間通過原子的擴散作用逐漸形成連接。在燒結初期,銀粉顆粒之間先是通過點接觸開始形成燒結頸,隨著原子不斷擴散,顆粒間距離縮小,表面自由能降低,頸部逐漸長大變粗并形成晶界,晶界滑移帶動晶粒生長 ,坯體中的顆粒重排,接觸處產(chǎn)生鍵合,空隙變形、縮小。在燒結中期,顆粒和顆粒開始形成致密化連接,擴散機制包括表面擴散、表面晶格擴散、晶界擴散和晶界晶格擴散等,顆粒間的頸部繼續(xù)長大,晶粒逐步長大并且顆粒之間的晶界逐漸形成連續(xù)網(wǎng)絡,氣孔相互孤立,并逐漸形成球形,位于晶粒界面處或晶粒結合點處。汽車功率模塊,TS - 1855 穩(wěn)運行。
TS - 9853G 半燒結銀膠的一大有效特性是符合歐盟 PFAS 要求。PFAS(全氟和多氟烷基物質(zhì))由于其持久性和生物累積性,對環(huán)境和人體健康存在潛在風險。隨著環(huán)保法規(guī)的日益嚴格,電子材料符合 PFAS 要求變得至關重要。TS - 9853G 滿足這一要求,使其在歐洲市場以及對環(huán)保要求較高的應用場景中具有明顯優(yōu)勢 。在電子設備出口到歐盟地區(qū)時,使用 TS - 9853G 半燒結銀膠能夠確保產(chǎn)品順利通過環(huán)保檢測,避免因環(huán)保問題導致的貿(mào)易壁壘和市場準入障礙。TS - 9853G 還對 EBO(Early Bond Open,早期鍵合開路)進行了優(yōu)化。在電子封裝過程中,EBO 問題可能會導致電子元件之間的連接失效,影響產(chǎn)品的可靠性。微米級銀粉高導熱銀膠,成本親民。附近燒結銀膠類型
燒結銀膠,惡劣環(huán)境下的保障。零助焊劑燒結銀膠行價
與傳統(tǒng)散熱材料相比,高導熱銀膠的優(yōu)勢明顯。傳統(tǒng)的散熱材料如普通硅膠,其導熱率較低,一般在 1 - 3W/mK 之間,無法滿足現(xiàn)代電子設備對高效散熱的需求。而高導熱銀膠的導熱率可達到 10W - 80W/mK,是普通硅膠的數(shù)倍甚至數(shù)十倍,能夠在短時間內(nèi)將大量熱量傳導出去,很大提高了散熱效率 。在一些對散熱要求極高的應用場景中,高導熱銀膠的高導熱性能優(yōu)勢更加突出。在數(shù)據(jù)中心的服務器中,大量的芯片同時工作會產(chǎn)生巨大的熱量,如果不能及時散熱,服務器的性能將受到嚴重影響。高導熱銀膠能夠?qū)⑿酒瑹崃靠焖賯鲗е辽嵯到y(tǒng),確保服務器在長時間高負載運行下的穩(wěn)定性,提高數(shù)據(jù)處理效率 。零助焊劑燒結銀膠行價